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- 2017-06-01 发布于天津
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硅业副产物sicl资源化电沉积硅及其性能研究
硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究
刘静静1,赵占霞1,张承龙2,马忠权1
(1.上海大学 理学院物理系,上海 200444
2.上海电子废弃物资源化协同创新中心,上海第二工业大学 电子废弃物研究中心,上海 201209)
摘要:以硅业副产物四氯化硅(SiCl4)为溶解物,离子液体[BMIM]TF2N为溶剂,碳酸丙烯酯(PC)为支持电解质,采用三电极系统,用C-AFM方法研究[BMIM]TF2N与PC的质量比、电解液温度和沉积时间对阴极板生成物电学性质的影响,以及硅薄膜结构和表面形貌对其电学性质的影响。拉曼光谱结果证实沉积的硅薄膜是非晶态结构,在质量比为1︰3的常温电解液中沉积1 h制备出的硅薄膜具有很好的均匀性和电学性质。
关键词:离子液体;四氯化硅;C-AFM;硅薄膜;电学性质
中图分类号:X756;TN304.1+2 文献标志码:A 文章编号:1007-7545(2017)0-0000-00
Study on Resource Utilization of By-product SiCl4 from Polysilicon Industry and Properties of Electrodeposited Silicon Film
LIU Jing-jing1, ZHAO Zhan-xia1, ZHANG Cheng-long2, MA Zhong-qua
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