第六章65mos场效应晶体管.pptVIP

由于导电沟道上存在电压降，使栅绝缘层上的有效电压降从源端到漏端逐渐减小，当VDS很大时，沟道压降对有效栅压的影响不可以忽略，降落在栅下各处绝缘层上的电压不相等，反型层厚度不相等，因而导电沟道中各处的电子浓度不相同，当漏源电压继续增加到漏端栅绝缘层上的有效电压降低于表面强反型所需的阈值电压VTH 时，漏端绝缘层中的电力线将由半导体表面耗尽区中的空间电荷所终止，漏端半导体表面的反型层厚度减小到零，即在漏端处沟道消失，而只剩下耗尽区，这就称为沟道夹断。 三 饱和区I-V特性 进一步增加漏极电压，会使夹断点向源端移动，但漏电流不会显著增加或者说基本不变，达到饱和；器件的工作进入饱和区。使MOS管进入饱和工作区所加的漏一源电压为VDsat 。 =0 由： 超过这一点，漏极电流可以看成是常数 N沟道MOSFET的电流-电压特性 饱和区 线性区 沟道被夹断后，当VGS不变时，在漏-源电压VDS VDsat后，随着VDS的增加只是漏端空间电荷区展宽，对沟道厚度增加几乎没有作用。当漏一源电压继续增加到VDS比VDsat大得多时，超过夹断点电压VDsat的那部分，即（VDS－VDsat）将降落在漏端附近的夹断区上，因而夹断区将随VDS的增大而展宽，夹断点将随VDS的增大而逐渐向源端移动，栅下面半导体表面被分成反型导电沟道区和夹断区两部分。 导电沟道中的载流子在漏源电压的作用下，源源不断地由源端向漏端