曝光原理与曝光机介绍(高启清).pptVIP

曝光原理與曝光機 課程綱要 曝光原理 手動線路曝光設備 手動防焊曝光設備 平行光系統 自動曝光設備 線路影像移轉方式的演進 散射光曝光(5 mil) 平行光曝光(2 mil) 曝光原理 光阻劑種類 乾膜光阻 Dry Film PET + 光阻 + PE 液態光阻 Liquid Film 防焊乾膜 Dry Film Solder Mask 液態感光防焊阻劑 Liquid Photoimageable Solder Resist (LPSR) UV 曝光原理 光阻作用方式 正型光阻 感光分解，顯像時溶解 正型光阻可製作出較細線路 負型光阻 感光聚合，形成高分子顯像時不會溶解 有殘足問題 光阻感光聚合過程 PI + h? ? PI* ITX + h? ? ITX* ITX* + PI ? ITX + PI* Monomer Oligomer + PI* ? Polymer + PI 曝光對乾膜結構的變化 曝光製程 - 內層 內層曝光 抗蝕刻 光阻塗佈 壓膜 Dry Film Lamination 滾塗 Roller Coating 乾膜：壓膜→曝光→顯像→蝕刻→剝膜 膜厚 1.0,1.3 mil，能量 45~60 mj/cm2 濕膜：塗佈→預烘→曝光→顯像→蝕刻→剝膜 liquid film 10~15?m厚，需100~120 mj/cm2 因無Mylar層可做較細線路， 曝光製程 - 外層 外層曝光 抗電鍍 光阻塗佈 壓膜 Dry Film Lamination 乾膜：壓膜→曝光→顯像→電鍍→剝膜 膜厚 1.3, 1.5 mil 曝光製程 - 防焊 防焊曝光 保護銅面 塗佈 網印 Flood Screen Printing 簾塗 Curtain Coating 噴塗 Spray Coating 塗佈→預烤→曝光→顯像→UV硬化→後烘烤 約1 mil厚，能量 400~600 mj/cm2 曝光時需抽真空使底片密貼板材並隔絕氧氣使聚合反應加速完成 各種 UV 曝光燈管 各種UV燈管光譜分佈比較 線路曝光作業的考量因素 作業要求 底片尺寸穩定 提高光阻與銅面附著力 曝光顯像後光阻側壁垂直且殘足短 光阻種類 乾膜(壓膜機) 濕膜(滾塗/浸塗) 達到最佳光阻解析能力 曝光能量↑時，解析度↓ 曝光能量↑時，聚合效果及抗化性↑ 達到光阻最佳工作區間 →準確的能量控制 Off Contact↑時，解析度↓ →提高底片與板面真空密貼程度 乾膜壓膜設備的考量因素 預熱 加熱銅面而非底材 熱壓輪溫度 加熱均勻性 溫度補充特性 熱壓輪壓力 熱壓輪壓力均勻性 穩定速度控制 更細線路→更薄光阻 (0.6 mil 乾膜) 膜皺、膜屑防止 薄板壓膜適用性 設備產塵量控制 能量對光阻聚合影響 曝光能量與最佳解析度關係 以乾膜曝光而言，為得到最佳乾膜解析能力，曝光能量有?10% 的容許區間，這也是對能量均勻度的要求 UV 曝光測量單位 UV強度(照度)單位 watt/cm2, milli-watt/cm2 Intensity (Irradiance) 製程所需UV強度常不明確 UV能量(劑量)單位 joule/cm2, milli-joule/cm2 Energy (Dose) 所接受能量與時間有關 在 1 mw/cm2 下照射 1 秒 = 1 mj/cm2 強度對時間曲線下面積 是一般常給的操作參數 各種 UV曝光量表 IL 1400 UVA 單一波長 測量強度/能量 EIT UVIRad UVA(365)波長 測量能量 ORC 351 UVA 單一波長 測量強度/能量 曝光格數片 格數片原理 測量曝光量的多少，了解光阻聚合能力受影響程度 因格數片上每一格的光密度不同，曝光時透光量每格不同，第一格光密度最低透光量最多使光阻感光最足，每增一格，固定增加一定比例的光密度 以Riston17為例，每格增加12%光密度。 常見格數片 Dupont Riston 17格、Riston 25格 Stouffer 21格、Stouffer 41格 Kodak (No.2) 21格 Hitachi Photec 21格 吸真空對曝光影響 Off Contact Exposure 只有平行光可用 Soft Contact Exposure 底片與板面密貼但不吸真空，平行光可用。 Hard Contact Exposure底片與板面密貼且吸真空，散射光一定要用 手動曝光設備 手動散射光曝光機 線路曝光機 UVE-5K 5KW毛細燈 有效範圍: 740 x 610 均勻度:85% Mylar 對玻璃雙檯框 人機界面操作 檯框獨立能量控制 故障點顯示 檯面自動電磁鎖 真空度不足時不曝光 5 KW 曝光機燈管水套結構