第三章异质结双击晶体管.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 异质结双极晶体管 §3.13~3.14 Heterojunction Bipolar Transistor W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念 70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度大于基区材料的禁带宽度。 异质结是由 两种不同的半导体材料形成的PN结。例如：在P型GaAs上形成N型AlxGa1-xAs。 AlxGa1-xAs是AlAs 和GaAs这两种III-V族化合物半导体固溶形成的合金，x是在合金中的所占的摩尔分数。异质结的特性之一是禁带宽度随合金的摩尔分数而变化。 前言： 异质结双极晶体管HBT是指发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。异质结双极晶体管类型很多，主要有SiGe异质结双极晶体管, GaAlAs/GaAs异质结晶体管和NPN型InGaAsP／InP异质结双极晶体管, NPN型AlGaN/GaN异质结双极晶体管等。 异质结双极晶体管与传统的双极晶体管不同，前者的发射极材料不同于衬底材料，后者的整个材料是一样的，因而称为异质结器件。异质结双极晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制，大大地增加了晶体管设计的灵活性。 1、反型异质结：这是指由导电类型相反的两种不同的半导体单晶体材料所形成的异质结。例如由p型锗与n型砷化镓所形成的结即为反型异质结，并记为p-nGe-GaAs或记为(p)Ge-(n)GaAs。 2、同型异质结：这是指由导电类型相同的两种不同的半导体单晶体材料所形成的异质结。例如由n型锗与n型砷化镓所形成的结即为同型异质结，并记为n-nGe-GaAs或记为(n)Ge-(n)GaAs。 3、异质结也可以分为突变型异质结和缓变型异质结两种。如果从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生于几个原子距离内，则称为突变异质结如果发生于几个扩散程度内，则称为缓变异质结。 由禁带宽度相同、导电类型不同或虽导电类型相同但掺杂浓度不同的单晶材料组成的晶体界面称为同质结。 禁带宽度不同的两种单晶材料一起构成的晶体界面称为异质结。 同质结与异质结 III-V族化合物的价带包括三个能带，一个重空穴带V1，一个轻空穴带V2和由自旋-轨道耦合所分裂出来的的第三个能带V3。 砷化镓的能带结构 典型III-V族化合物能带 AlxGa1-xAs x=0： GaAs x=1： AlAs 对于0x0.45，Γ 方向上的禁带宽度EgΓ 小于X方向和L方向上的禁带宽度EgX 和EgL， 写作： 对于0.45x 1， X方向上的禁带宽度EgX 小于Γ 方向和L方向上的禁带宽度EgΓ和EgL， 写作： Eg随x增加而增加之外，当x 0.45 时，由于EgX EgΓ ，材料由直接带隙转变为间接带隙；显然x=0时，材料为GaAs，在300K，其禁带宽为1.424eV，晶格常数为0.56533nm；当x=1，材料为AlAs，其禁带宽度为2.168eV，晶格常数为0.56606nm。AlxGa1-xAs的晶格常数随x的变比很小，甚至在x=0和x=1的极端情况，晶格失配仅为0.1%。晶格常数匹配是形成理想异质结所需的重要条件。 可见： 功函数（不同） 功函数 亲和势（不同） 亲和势 禁带宽度不同 价带能量差：禁带宽度差减去导带能量差 导带能量差就是亲和势 没有形成异质结之前的分离能带图 一 平衡异质结 功函数：把一个电子从费米能级移到真空能级所需做的功 亲和势：把一个电子从导带底移到真空能级所需做的功 两个概念： 禁带宽度差是导带差与价带差的和： 当两种半导体形成冶金学接触之后，热平衡情况下费米能级恒等要求P区空穴向N区转移， N区电子向P区转移结果在接触面附近形成空间电荷区。与同质结相似，在突变结及耗尽近似下，空间电荷区的泊松方程为： φ1和φ2分别为GaAs和AlxGa1-xAs区空间电荷区电势分布 一次积分 kGaAs= k1=13.1, kAsAl=10.06, 对于AlxGa1-xAs有： kAlxGa1-xAs = k2=13.1-3.0x 空间电荷区边界 二次积分： 且取φ1(-xp) = 0 得： 可得P区的自建电势为： x = 0 取φ2(xn) = φ0为整个内建电势差，则N区的电势分布为： x = 0 N区的自建电势差为： x = 0， φ1(0) = φ2(0) ，则有： 可改写为 热平衡异质结GaAs-AlxGa1-xAs P侧N侧耗尽层宽度分别为： Naxp=Ndxn Na xp=Nd xn 电中性要求： 热平衡N-Alx