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二、硅太阳电池工作原理 3、太阳能电池的分类 按制造工艺可分为两大类： ①第一代和第二代太阳能电池：晶体硅系列（分为单晶硅和多晶硅） ②第三代薄膜型太阳能电池:非晶硅和铜铟镓硒（CIGS）系列 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体受热或光照 本征激发产生电子和空穴 自由电子 空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E 电子运动形成电子电流 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E 价电子填补空穴而使空穴移动，形成空穴电流 半导体导电机理动画演示 当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的形成可以参照下图： 图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有3个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P 型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N型半导体。黄色的为磷原子核，红色的为多余的电子。如下图。 当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。 PN结的形成及工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它可把入射到它表面的光能转化为电能。当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带(光生伏特效应），激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。 光电池结构示意图 当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P型区移动，而P型区中的电子往N型区移动，从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。 太阳能电池：太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件，这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”。 天普 三、光伏电池板 光伏电池板：由太阳能电池片按照某些连接方式组合而成，是太阳能发电系统的核心部分。 1、光伏电池板的连接方式 串联方式：为了满足我们对高电压的需要，我们把电池片通过串联的方式结合在一起。 并联方式：为了满足我们对高电流的需要，我们把电池片以并联的方式结合在一起。 标准测试条件 地面用太阳电池测试标准条件（STC）： （1）：大气质量为AM1.5时的太阳光谱分布 （2）：太阳辐照强度为1000 W/m2 . （3）：温度为25 ±1 ℃. 注：在STC条件下测试的电池功率叫“峰瓦数“。 2、通过功率计算转换效率 转换效率的定义 在标准测试条件下太阳电池外部回路上连接最佳负载时的最大能量转换效率。 η = Pm/Pin η：转换效率 Pm：最大功率（峰值功率） Pin：太阳入射功率 单位换算 1MW=1,000,000W 1W=1000mW 1m=100cm 1m2=10000cm2 标准光强 1000W/m2 等同于 0.1W/cm2 100mW/cm2 例1 有一电池片单片面积为100 cm2 ，在STC条件下的功率为2W，求转换效率。 解析: 标准光强：100mW/cm2 最大功率：Pm=2W=2000mW 入射功率：Pin=100(单片面积) ×100（标准光强） =10000mW 转换效率:η=Pm/Pin=2000/10000=20% 单块电池片 工作电压0.5~0.6V 峰值功率2.8Wp 尺寸125*125mm 转换效率17.9% 组件是由36块电池片串联而成 工作电压18V 峰值功率100Wp （1）单晶硅太阳电池（Monocrystalline Silicon）