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半导体制造技术导论（第二版） 第十章 化学气相沉积与电介质薄膜 白雪飞 中国科学技术大学电子科学与技术系 提纲 • 简介 • 化学气相沉积 • 电介质薄膜的应用 • 电介质薄膜特性 • 电介质化学气相沉积工艺 • 旋涂硅玻璃 • 高密度等离子体化学气相沉积 • 电介质化学气相沉积反应室清洁 • 工艺制程趋势与故障排除 • 化学气相沉积工艺发展趋势 2 简 介 电介质薄膜 • 电介质薄膜的种类 – 加热生长薄膜：消耗硅衬底，质量好 – 沉积薄膜：不消耗硅衬底，质量不如加热生长薄膜好 • 电介质薄膜的应用 – 电介质隔离 • 浅沟槽隔离(STI)、栅极侧壁间隔层、多层金属互连的电介质隔离 • 金属沉积前电介质层(PMD, ILD0) • 金属层间电介质层(IMD, ILD1―ILDn-1) – 离子注入阻挡层、掺杂源、抗反射镀膜层(ARC)、硬掩膜、覆盖层