Sputter磁控溅镀原理.pdf

Sputter 磁控溅镀原理 Sputter 在辞典中意思为：（植物）溅散。此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时，被溅射飞 散出。因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜。在日光灯的插座附近常见的变黑现 象，即为身边最赏见之例，此乃因日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成。溅 镀现象， 自19 世纪被发现以来，就不受欢迎，特别在放电管领域中尤当防止。近年来被引用于薄膜制 作技术效效佳，将成为可用之物。 薄膜制作的应用研究，当初主要为 Bell Lab.及 Western Electric 公司，于 1963 年制成全长 10m 左右的连续溅镀装置。1966 年由 IBM 公司发表高周波溅镀技术，使得绝缘物之薄膜亦可 制作。后经种种研究至今已达“不管基板的材料为何，皆可被覆盖任何材质之薄膜” 目的境地。 而若要制作一薄膜，至少需要有装置薄膜的基板及保持真空状况的道具（内部机构）。这 种道具即为制作一空间，并使用真空泵将其内气体抽出的必要。 一、真空简介： 所谓真空，依 JIS （日本工业标准）定义如下：较大气压力低的压力气体充满的特定的空 间状态。真空区域大致划分及分子运动如下： 压 力 真空划分 分子运动状态 Pa Torr 5 2 低 真 空 10 ～10 760～1 粘滞流 viscous flow 2 -1 -3 中 真 空 10 ～10 1～10 中间流（过渡流） intermediate flow -1 -5 -7 高 真 空 10 ～10 10-3～10 分子流 molecular flow -5 -7 超高真空 〈10 〈10 分子流 molecular effusion 真空单位相关知识如下： 温度为 20 ℃，相对湿度为 65%，大气压力为： 标准环境条件 1atm 101325Pa=1013.25mbar=760Torr 气体的标准状态 温度为 0℃，压力为：101325Pa 气体分子从某一假想平面通过时，沿该平面的正法线方向的动量改变率，除以该平面 压力（压强）p 面积或气体分子作用于其容器壁表面上的力的法向分量，除以该表面面积。注：“压 力”这一术语只适用于气体处于静止状态的压力或稳定流动时的静态压力 帕斯卡 Pa 国际单位制压力单位，1Pa=1N/m2 托 Torr 压力单位，1Torr=1/760atm 标准大气压 atm 压力单位，1atm=101325Pa 毫巴 mbar 压力单位，1mbar=102Pa 二、Sputter （磁控溅镀）原理： 1、Sputter 溅镀定义：在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子 被离子化而产生带电电荷，其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材，将其原 子等粒子溅出，此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜，此物理现象即称溅镀。而透 过激发、解离、离子化……等反应面产生的分子、原子、受激态物质、电子、正负离子、自由 基、UV 光（紫外光）、可见光……等