内藏肖特基二极管单N沟道MOSFET-elm.pdfVIP

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2017-06-04 发布于四川
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内藏肖特基二极管单N沟道MOSFET-elm.pdf

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内藏肖特基二极管单N沟道MOSFET-elm

内藏肖特基二极管单 N 沟道 MOSFET ELM14702AA-N ■概要 ■特点 ELM14702AA-N 是 N 沟道低输入电容，低 ·Vds=30V 肖特基二极管工作电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。并 ·Id=11A ·Vka=30V 内藏有肖特基二极管。 ·Rds(on) 16m Ω (Vgs=10V) ·If=3A ·Rds(on) 25m Ω (Vgs=4.5V) ·Vf 0.5V@1A ■绝对最大额定值如没有特别注明时, Ta=25 ℃ 项目记号 MOSFET 肖特基二极管单位备注漏极 - 源极电压 Vds 30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 V Ta=25℃ 11.0 漏极电流（定常） Id A 1 Ta=70℃ 9.3 漏极电流（脉冲） Idm 50 A 2 肖特基二极管反向耐压 Vka 30 V Ta=25℃ 4.4 正向电流（定常） If A 1 Ta=70℃ 3.2 正向电流（脉冲） Ifm 30 A 2 Tc=25℃ 3 3 容许功耗 Pd W Tc=70℃ 2 2 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg - 55 ~ 150 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性项目 (MOSFET) 记号典型值最大值备注备注最大结合部 - 环境热阻 t ≤10s 31 40 ℃/W Rθja