！#$%金属绝缘体半导体结构的介电与界面特性！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 7 % ##7 % ， ， ， @WG 07 QW 0 % 2F-I ##7 （ ） ’###1%)#A##7A7 #% A ’%)#1#B DP.D U5V+3PD +3Q3PD !##7 PI,J 0 UIXM 0 +W 0 金属 绝缘体 半导体结构的 !#$% ’ ’ 介电与界面特性! ! 马建华 孙 兰 孟祥建 林 铁 石富文 褚君浩 （中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ ## ( ’) 采用金属有机分解法在 型 衬底上制备了 （ ）薄膜 研究了 薄膜金属 绝缘体 半导体（ ）结 * +, +-.,/ +./ 0 +./ 1 1 23+ % 构的介电和界面特性 结果表明， 薄膜显示出优异的介电性能，在 处的介电常数约为 ，损耗低于 ， 0 +./ ’#456 ’#7 # 8#’ 这来源于多晶结构和良好的结晶性； 结构中的固定电荷密度 和界面态密度 分别约为 ’ 和 23+ !9 ,: ’87 ; ’# = （ — ） ’ ’ ，这主要与 界面处形成的低介电常数界面层有关 ’8 % 87 ; ’# = ?@ +,A +./ 0 关键词： 薄膜， 结构，介电性能， 界面 +-.,/ 23+ +,A +./ % ： ， ， ， ()** (%B#5 (%#C ((## (%## 层，理论分析表明，绝缘层也应具有尽可能高的介电 ［］ ’8 引 言 常数，以降低存储器的工作电压% 0 在诸多高介电常 数材料中，如