温控太赫兹调制器多频带调制特性.pdf

第 卷 第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 年 月 温控太赫兹调制器多频带调制特性 凌 芳 孟庆龙 黄人帅 张 彬 四川大学电子信息学院 四川 成都 摘 要 基于开口谐振环结构设计了多频带太赫兹波调制器 并在谐振环的开口处及两侧均填充温敏介质 锑化铟 研究了锑化铟的电磁性质随温度的变化 等效电感的组数对共振频带数目的影响以及锑化铟 不同的填充方式对太赫兹波调制特性随温度的变化规律 研究结果表明 当环境温度从 上升到 时 锑化铟的载流子浓度和等离子体频率逐渐增大 然而等效介电常数却不断减小 每增加一组等效电感 太赫兹波调制器都会相应的增加一个共振频带 在调制器开口处和两侧均填充锑化铟时 当环境温度在 变化时 温度对太赫兹波的共振频率和共振幅度的调制效果比仅在开口处或者两侧填充锑化铟时 更明显 且随着温度的升高 每个共振频带所对应的共振频率均明显增大 关键词 太赫兹超材料 多频带 锑化铟 温控 中图分类号 文献标识码