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习题： 1-1 什么是集成电路？如何衡量集成电路的制造水平？ 1-2 集成电路按功能是如何分类的？ 1-3 集成电路按器件结构是如何分类的？ 1-4 集成电路中常用的材料有哪些？ 1-5 简述集成电路的制造工序。 1-6 什么是洁净室？洁净等级是根据什么划分的？ 参考答案： 1-1 集成电路，就是在一块半导体单晶片上，通过一系列特定的加工工艺，制作出许多 晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，并按照一定的电路互连关系 “组装”起来，封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能；通常按照集成电路 的特征尺寸和wafer 尺寸来衡量集成电路的制造水平。 1-2 按功能可将集成电路分为数字集成电路和模拟集成电路两类。 1-3 集成电路按器件结构可分为双极型、MOS 型以及BiMOS 型。 1-4 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs 以及InP 等；绝 缘体材料，如SiO2、SiON 和Si3N4 等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。 1-5 图形转换，通过曝光和刻蚀，将掩膜版上的图形转移到半导体单晶片上；掺杂，通 过扩散或离子注入，将各种杂质按照设计要求，注入到硅晶片的特定位置上，形成 晶体管、接触等；制膜，通过氧化或汽相淀积的方法，制造各种材料的薄膜；等等。 1-6 洁净室是空气中悬浮微粒受控的封闭空间；洁净等级是按单位体积空气中，粒径 在0.1~5μm 范围的悬浮微粒（Airborne particles）数来划分的。 习题： 2-1 什么是晶面和晶向？ 2-2 晶体中存在哪些缺陷？ 2-3 掺杂对半导体电特性有什么影响？ 2-4 解释施主杂质和受主杂质。 2-5 单晶硅与多晶硅有什么区别？ 2-6 哪些化学元素可形成化合物半导体？ 2-7 简单描述多晶硅的提取过程。 2-8 简单描述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？ 2-9 直拉法生长单晶硅对籽晶有哪些要求？ 2-10 大直径wafer 的优势有哪些？ 2-11 硅棒径向研磨的目的是什么？ 2-12 磨片有什么作用？ 2-13 倒角的原因是什么？ 参考答案： 2-1 连接晶胞中任意两个格点形成一条直线，这条直线将包含无数多个周期性分布 的格点，这样的直线即为晶向（也叫晶列）；连接晶胞中任意不在一条直线上 的三个格点形成一个平面，这个平面将包含无数多个周期性分布的格点，这样 的平面即为晶面。 2-2 晶体中存在点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。 2-3 向纯净的半导体中掺入施主杂质，杂质电离以后，导带中的导电电子增多，增 强了半导体的导电能力，这种为N 型半导体；向纯净半导体中掺入受主杂质后， 杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力，这种为p 型 半导体。 2-4 在晶体中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质为施主杂 质；在晶体中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质为受 主杂质。 2-5 多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的，多晶硅没有单晶所特有的特征，如 各向异性、短程有序等。 2-6 第二主族与第六主族的元素可形成化合物半导体，如ZnS 等；第三主族与第五 主族的元素可形成化合物半导体，如GaAs、InP 等。 2-7 （1）提取粗硅，将二氧化硅和焦炭以一定的比例混合，在电炉中加热至1600～ 1800℃，这时在炉中会发生炭化反应而得到单质硅；（2）高温氯化，使粗硅 和氯化氢在加热的情况下直接反应得到三氯氢硅，反应温度为200～300℃； （3）提纯三氯氢硅，对三氯氢硅进行提纯的方法有精馏法和吸附法两种，通 常用的是精馏法；（4）提取高纯度硅，高纯度的三氯氢硅和高纯度的氢气在 1100℃左右的高温还原炉中反应得到高纯度的多晶硅。 2-8 （1）引晶，可以使熔融硅与籽晶间温度平衡；（2）缩颈，是为了消除籽晶原有 的缺陷或引晶时由于温度变化引起的新生缺陷；（3）放肩，使晶体逐渐长大至 所需直径；（4）等径生长，使晶体逐渐长大至所需长度；（5）收尾，是为了避 免晶棒离开熔融液时急速降温而产生的缺陷向上延伸。 2-9 缺陷要尽可能的少；籽晶的晶向和所要生长的晶体相同；籽晶需经过清洗除掉 表面的污垢。 2-10 产量大、效率高、利用率高等。 2-11 为了使晶棒的直径能够很精确的符合直径要求。 2-12 去除表面的刀痕；消除损伤层；提高平整度，使wafer 薄厚均匀；增加表面平 坦度等。 2-13 防止wafer 边缘破裂、防止热应力造成的损伤、增加外延层以及光刻胶在wafer 边缘的平坦度。 习题： 3-1 制作集成电路中双极晶体管需要进行几次光刻，每次光刻的目的是什么？ 3-2 P 阱CMOS 与N 阱CMOS 相比有什么不同？ 3-3 埋层有什么作用？说明埋层与衬底的掺杂