自旋转移力矩磁阻随机存储器的技术发展和关键技术专利技术综述.pdfVIP

自旋转移力矩磁阻随机存储器的技 术发展和关键技术专利技术综述 国家知识产权局专利局 电学发明审查部 杨蕊 主要内容 STT-MRAM及发展现状 技术分解及检索 STT-MRAM专利分析 关键技术及技术路线 意见和建议 电子信息产业 的重要元件 25% 23.7% 24.9% 全球市场 中国市场 进口额 份额 份额 2014 ，全球存储器 2014，我 国是全球最大 2014 年 ，我国集成 市场规模约750亿美 的电子信息产业基地， 电路 进 口额 2176.2 元，占全球集成电 电子整机所用存储器市 亿美元，是我 国进 路市场份额的25% 场需求约2465.5亿元 ， 口额最大的产品， 占我 国集成 电路市场规 其中存储器进 口额 占24.9%。 • 行业特点“三高” ：高技术壁垒，高资金壁垒 ，高度垄断 • 《国家集成电路产业发展推进纲要（2015‐ 2025 ）》——研发新型存储等关键芯片 • 国家存储器基地的筹建 非易失性 SRAM DRAM FLASH MRAM 非易失性 否 否 是 是 DRAM的 常规尺寸F2 50‐120 6‐10 5‐10 16‐40 高集成度 读写时间 ns 1‐100 30 10‐50 3‐20 读写次数 较多 较多 有限 理论无限 SRAM 的 写入能量 低 低 高 较高 高速读写 其他能量 漏电流 刷新电流 否 否 能力 理论上无限 次重复写入 巨磁阻：磁性材料的电阻率 ，在有外磁场作用下和无外 磁场作用下相比，有巨大变 化。 多层膜：如Fe/Cr/Fe。 平行状态——阻值较小 反平行状态——阻值较大 绝缘层以Al2O3代替GMR中的 Cr 隧穿电流的大小取决于两个 铁磁层的相对磁化方向 与GMR相比具有更高的磁场 灵敏度 • 位线与写入线相互垂直，两根 线交叉处产生一个磁场的峰值 •峰值开关阈值磁化方向翻转 •完成存储单元的写入功能 • MOS管打开，相同读取电流 时输出电压取决于磁隧道结的 高低 •磁化方向平行，电阻小 •磁化方向相反，电阻大 • 单元