半导体制程简介.pptVIP

2.7 金属蚀刻 Metal Etch 金属蚀刻用于制作芯片中的金属导线。 导线的形状由Photo制作出来。 这部分工作也使用等离子体完成。 2.8 薄膜生长 金属沉积 Metal Deposition 铜制程沉积 Copper Deposition 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition Metal Deposition 一般来说，采用Physical Vapor Deposition (PVD；物理气相沉积)的方法制作金属薄膜。 这里面的金属薄膜包括：Aluminum(铝), Gold (金) and Tungsten(钨)。 金属层用于在半导体元器件中制造通路，当然，离不开Photo的配合。 Copper Deposition 通常，半导体器件中的导线采用的是铝。 铜导线比铝导线具有更多的优越性。 铜导线电阻比铝导线小40%，这样采用铜导线的器件要快15%。 铜导线不易因为ESD而导致器件破坏。它能够承受更强的电流。 采用铜导线的困难： 当铜和硅接触的时候，会在硅中发生非常快速的扩散。 这种扩散还将改变制作在硅上面半导体三极管的电学特性，导致三极管失效。 IBM最终克服了这些困难(Damascene)： 采用先做绝缘层，再做铜导线层的方法解决扩散问题。 在制作铜导线层的时候，IBM采用一种铜的多晶体，进一步限制铜在硅中的扩散。 Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积(CVD)，和PVD相比较，主要是在沉寂薄膜的时候还伴随着化学反应的发生。 针对不同的薄膜，要采用不同的化学物质来做化学气相沉积。 2.9 离子注入 Ion Implant 和前述的制程不一样，离子注入不制作出新的层次，它仅仅改变晶园上某个区域的电学特性。——变为P型或者N型半导体。 离子注入制造 PN结，半导体中最基本的单位。 改善三极管集电极和发射极之间的导通性。 2.10 总览制作过程 芯片是一层一层做出来的： 元器件、导线、连接孔、…… 第3部分后封装 3.1 电性测试 Probe Test 电性测试 半导体芯片制作工厂交付使用的产品是晶园本身。在出货之前，需要对晶园上的每一个芯片做电性测试。 良率 通常晶园上的芯片不会每一个都是可以工作的，测量所得的“可用芯片数/总芯片数”之值就是所谓“良率”(Yield)。通常只有良率达到一定值时才可以出货。 由于这种测试使用探针，所以又被称为Probe Test (探针测试) 3.2 晶园切割 Wafer Die Cut 在晶园电性测试之后，出货到封装厂，后封装的工作真正开始。 封装厂会将晶园切割成一个个小的芯片，由于在晶园上留给封装厂切割的空间只有80um，所以这也是一项非常精细的工作。 然后需要把电性不良的芯片排除在外。 3.3 引线 Wire Bonding 接着，封装厂会在切割下来的芯片上焊接上引线。 这种引线的直径大约在人头发的1/3，约30um左右。 引线接在芯片设计时留出的接线管脚上。任何引线之间的连接(Bridge)都将是致命的。 引线制作 3.4 封装 Packaging 晶园切割、引线之后就是封装。 封装之后，我们就见到了真正产品——芯片。 The EndThanks! 半导体制程简介 ——芯片是如何制作出来的 基本过程 晶园制作 Wafer Creation 芯片制作 Chip Creation 后封装 Chip Packaging 第1部分晶园制作 1.1 多晶生成 Poly Silicon Creation 1 目前半导体制程所使用的主要原料就是晶园(Wafer)，它的主要成分为硅(Si)。 富含硅的物质非常普遍，就是沙子(Sand)，它的主要成分为二氧化硅(SiO2)。 沙子经过初步的提炼，获得具有一定纯度的硅，再经过一些步骤提高硅的纯度，半导体制程所使用的硅需要非常高的纯度。 接着就是生成多晶硅(Poly Silicon)。 Poly Silicon Creation 2 采用一种叫做Trichlorosilane的物质(SiHCl3)作为溶剂，氢气作为反应环境，在钽(tantalum)电热探针指引下，经过初步提炼的硅形成晶体。 这种过程需要多次，中途还会用到氢氟酸(HF)这样剧毒的化学药品，硅的纯度也随着这个过程而进一步被提高。 最后生成多晶硅的硅锭。 Poly Silicon Creation 3 1.2 单晶制作 Crystal Pulling 1 多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象地称作拉单晶(Crystal Pulling)。 将高纯度的多晶硅碾碎，放入石英坩埚，加高温到1400°C，注意反应的环境是高纯度的