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完美的铁电存储器 一. Fujitsu 铁电存储器(FRAM) 技术原理 日本Fujitsu 公司是全球最大的铁电存储器(FRAM)供货商，至2010 年12 月31 日，全球已经累计出货17 亿颗铁电存储器！ Fujitsu 公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁晶体管材料，这一特殊材料使得 铁电存储产品同时拥有随机存取内存(RAM) 和非挥发性存贮产品(ROM) 的特 性。 铁晶体管材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁晶体管材料上，晶阵中的中 心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态，晶阵中的每个自由浮动的中心原子 只有两个稳定状态，一个我们拿来记忆逻辑中的０、另一个记亿１，中心原子能 在常温，没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时 刷新，能在断电情况下保存资料。 二、Fujitsu 铁电存储器(FRAM) 技术优点 传统半导体内存有两大体系：挥发性内存(Volatile Memory)，和非挥发性内存 (Non-volatile Memory)。 挥发性内存如SRAM 和DRAM 在没有电源的情况下都不能保存资料，但这种内 存拥有高性能、易用等优点。 非挥发性内存像 EPROM 、 EEPROM 和 FLASH 能在断电后仍保存资料，但 由于所有这些内存均起源自只读存储器 (ROM) 技术， 所以您不难想象得到它 们都有不易写入的缺点， 确切的来说，这些缺点包括写入缓慢、有限次写入次数、写入时需要特大功耗等 等。 FRAM 第一个最明显的优点是FRAM 可跟随总线(Bus Speed)速度写入，若 比 较起 EEPROM/Flash 的最大不同的是 FRAM 在写入后无须任何等待时间 (NoDelayTM Write)，而 EEPROM/Flash 须要等 3~10 毫秒 (mS) 才能写进下 一笔资料。 铁电存储器(FRAM)的第二大优点是近乎无限次读写。当 EEPROM/Flash 只能 应付十万次 (10 的 5 次方)至一百万次写入时， 新一代的铁电存储器(FRAM) 已达到一百亿个亿次(10 的 10 次方)的写入寿命。 铁电存储器(FRAM)的第三大优点是超低功耗。 EEPROM 的慢速和高电流写入 令它需要高出 FRAM 2,500 倍的能量去写入每个字节 。 三、 Fujitsu FRAM 铁电存储器的应用 我们向来用EEPROM 或者Flash 来存储设置资料和启动程序，用 SRAM 来暂 存系统或运算变量．如果掉电后这些资料仍需保留的话，我们会通过加上后备电 池的方法去实现．很久以来我们没有检验这种内存架构的合理性．铁电存储器 (FRAM)的出现为大家提供了一个简洁而高性能的一体化存贮技术。 1. 数据采集和记录 铁电存储器(FRAM) 的出现使工程师可以运用非挥发性的特点进行多次高速写 入。 在这以前在只有 EEPROM 和Flash 的情况下，大量数据采集和记录对工 程师来说是一件非常头疼的事。 数据采集包括记录和贮存资料，更重要的是能 在失去电源的情况下不丢失任何资料。在数据采集的过程中，资料需要不断高速 写入，对旧资料进行更新，EEPROM 和Flash 的写入寿命和速度往往不能满足 要求。 典型应用包括：数字式仪表( 电力表、水表、煤气表、暖气表、车用仪表表)、量 测仪器、非接触式智能卡(RF ID)、门禁保安系统、行驶记录仪(Black Box) 、医 疗器材和卫星天线(Satellite Antenna)等… ２. 存储配置参数(Setting) 以往在只有EEPROM 和Flash 的情况下，由于写入次数限制，工程师们只能在 侦测到掉电的时候，才把更新了的配置参数及时地存进 EEPROM 和Flash 里， 这种做法很明显地存在着可靠性的问题。铁电存储器(FRAM)的推出使工程师可 以有更大的发挥空间去选择实时记录最新的配置参数，免去是否能在掉电时及时 写入的忧虑。 典型应用包括：电话里的电子电话簿、复印机、网络设备、工业用微控制器、游 戏机、机顶盒 (Set-Top-Box) 、TFT Panel /(Smart Panel)、自动贩卖机 和打印 机等… ３. 非挥发性缓冲记忆 (Buffer) 铁电存储器(FRAM)无限次快速读写令这种产品十分适合担当