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电容的主要特性是在充电后，能够存储电荷。 实际电容的模型是由电阻（ ESR） 、电容和电感(ESL)组成。由于交流电流流经电容，有功功率消耗在ESR上，从而引起电容温度升高。 有极性电容包含了一个寄生的实际存在的二极管，在电容极性接反时允许电流流过。 电容等效电路 问题：请计算t=0之后电路发生了什么？ 1.6 半导体工艺之光刻工艺 光刻：用光刻蚀。 光刻是一种图形转移工艺。 光刻步骤是半导体工艺不可或缺的一步。 平面加工工艺（光刻）的发明 Si(硅)衬底上真正的集成电路 1959年，Fairchild公司的Noyce将光刻技术和SiO2巧妙的结合起来，在Si衬底上制备真正的集成电路。 由此导致平面工艺的诞生。 1957年，美国DOF实验室首先将光刻技术引入到半导体技术中。 光刻流程示意 光刻胶(抗蚀剂，光阻) 正胶： 光刻胶在原始状态下不会被显影剂溶解，只有被曝光后才会被溶解。 负胶：被曝光的区域不溶解于显影剂中，而未 曝光的区域会被显影剂溶解。 光学图形曝光的图案转移步骤示意 涂胶 曝光 显影 刻蚀 去胶 涂胶 掩模板(Mask) 利用一块带有图形的玻璃板，透过这块玻璃板投射一束光到基板表面，就在基板的表面形成了图形的阴影，玻璃板上的这些图形对应了要在工艺加工中保护的区域。 上述的这块玻璃板就是掩模板(Mask)。 掩模板上的图形通常用铬制作，这些铬层将阻