硅基3C-SiC的热氧化机理.pdfVIP

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Sep．，2007 硅基3C-SiC的热氧化机理 赵永梅’ 孙国胜 刘兴防 李家业 赵万顺 王 雷 罗木昌 李晋闽 (中国科学院半导体研究所，北京100083) 层进行了热氧化，氧化温度为1050℃．采用X射线光电子能谱仪(XPS)，结合Ar+溅射技术，在不同的溅射时间下， 对氧化生长的Si02层及Si02／sic界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析，在此基础上提出了热氧化模型， 探讨了3C．SiC的热氧化机理． 关键词：3C．SiC热氧化；XPS氧化机理 PACC：8115H；8160；6110 文献标识码：A 中图分类号：TN304．2+4