基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能.pdfVIP

14 3 Vo.l14, No.3 2008 6 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Jun., 200 8 :1007 -4252 (2008 )03-0609 -05 Sn GeSbTe 2 2 5 1, 2 1 1, 2 1 1 1 3 徐成 , 刘波, 冯高明 , 吴良才, 宋志棠 , 封松林, BomyChen (1.中国科学院上海微系统与信息技术 究所,纳米技术 究室, 上海 200050; 2.中国科学院 究生院, 北京 100039; 3.SiliconStorageTechnology, Inc.1171 SonoraCour,tSunnyval,eCA94086, USA) :采用 0.18 μm标准工艺制备出基于 Sn掺杂 GeSbTe相变材料的相变存储器器件单元, 利 2 2 5 用自行设计搭建的电学测试系统 究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变 GeSbTe的 2 2 5 相变特性, 其相变阈值电压和阈值电流分别为 1.6 V和 25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与 晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为 1.78mA(电流宽度固 定为 100 ns)、结晶时间大于 80 ns(电流高度固定为 3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为 30 ns 时,所需电流大于 3.3mA;与 GeSbTe相比, Sn的掺杂降低了 SET操作的脉冲电流宽度,提高了 2 2 5 结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。 :Sn掺杂;GeSbTe;相变存储器;器件单元;存储性能 2 2 5 :TN303　　:A Storagecharacteristicsofphasechangememorycells basedonSn-dopedGeSbTe 2 2 5 1, 2 1 1, 2 1 1 1 3 XUCheng, LIUBo, FENGGao-ming, WULiang-cai, SONGZhi-tang, FENGSong-lin, BonnyChen (1.InstituteofMicrosystemandInformationTechnolog,yChineseAcademyofScience,sShanghai 200050, Chin;a2.GraduateSchoolofChineseAcademyofScience,sBeijing100039, China; 3.SiliconStorageTechnolog,yInc.1171 Son