晶体管原理3.pptVIP

* 2.3双极晶体管的电流增益 1 电流增益的定义 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 电流增益(Current Gain) = 输出电流 / 输入电流 共基极联接时，电流增益α＝IC / IE 共发射联接时，电流增益β＝I C / IB 由于IE=IC+IB 双极晶体管的电流增益是在有源区定义的，正向有源区定义的电流增益称正向电流增益，反向有源区定义的电流增益称反向电流增益。正向电流增益以及反向电流增益都是工作点的函数，随工作电流和工作电压的变化而改变。 在文献和一些教课书中还有以下定义： ?直流放大系数 共基：α=(IC--ICB0)/IE 共射：β=(IC--ICE0)/IB 2.3双极晶体管的电流增益 1 电流增益的定义 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- ?直流放大系数 共基：hFB= IC / IE =α+ICB0 /IE 共射：hFE= IC / IB =β+ICE0 /IB ?直流小信号短路放大系数 共基： α0= ic / ie = δIC /δ IE 共射： β0= ic /ib = δIC /δ IB 发射极注入效率 基区输运系数 描述电流放大系数的两个中间参量 2.3双极晶体管的电流增益 2 本征 电流增益 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 对于均匀基区晶体管（NPN） 注入效率主要决定于GE / GB，这个比值越大， 则愈高 (2-78) (2-81) 2.3双极晶体管的电流增益 2 本征 电流增益 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 求基区输运系数 IrB为基区复合电流 ΔnB(x)表示基区过剩载流于密度，τnB为基区少于寿命 因为 以前认为基区无复合I nB为常数，I nB（0）＝I c 所以 代表少子在基区传输过程中因复合而造成的相对损耗 (2-84) (2-85) 适用于基区杂质任意分布的晶体管 2.3双极晶体管的电流增益 2 本征 电流增益 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 特例：对于均匀基区晶体管，我们知道 所以 严格解 对于均匀基区晶体管（NPN），本征 电流增益 发射区和基区的方块电阻 (2-86) Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 2.3双极晶体管的电流增益 2 本征 电流增益 在分析讨论电流增益时，常常采用 的表示式 第一项称作注入效率项，第二项则称作基区复合项 用上述表达式表示电流增益有两点好处。其一，考虑基极电流其它成份对电流增益的供献时，可以在上式右端增加其它项，这为分析结构复杂的真实器件的增益带来方便。其二，便于比较不同基极电流成份的相对作用。 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 2.3双极晶体管的电流增益 2 影响电流增益的其它因素 ①发射结空间电荷区复合电流的影响(使发射效率降低) NPN晶体管，发射结正偏时，发射结空间电荷区的载流子浓度高于平衡值，因而存在净复合。发射极电子流通过发射结空间电荷区复合损失部分转换成空穴电流IrE，从而使发射效率降低。 当VBE较小时，即在小电流下，第三项不能忽略，电流增益下降。 Chapter2晶体管 直流特性 ----------------------------------------------------------------------