pn结二极管I-V特性.pptVIP

理想化的杂质分布近似 2. pn 结的形成过程和电荷再分配 (a)孤立的p型和n型区域 （b）pn结接触，p区空穴扩散到n区，在p 区边界剩下NA-；n区电子扩散到p区， 在n边界剩下ND+ (c) NA-,ND+形成内建电场，方向从n→p (d) 内电场的作用下，载流子漂移 （e) 扩散流=漂移流，总电流为0，达到热 平衡 （f)空间电荷区宽度一定，空间电荷的分布 达到稳定。 3. pn结热平衡时的能带图 4. pn结中电场、电势和电荷分布 内建电势Vbi：热平衡条件下的耗尽区电压称为内建电势，它是一个非常重要的结常数。 势垒高度qVbi 势垒宽度xD=xn+xp 5.耗尽近似 耗尽近似是对实际电荷分布的理想近似，包含两个含义： （1）在冶金结附近区域，-xpxxn,与净杂质浓度相比，载流子浓度可忽略不计 （2）耗尽区以外的电荷密度处处为0。 6.2 pn结电流电压特性 将二极管电流和器件内部的工作机理，器件参数之间建立定性和定量的关系。 6.2.1 定性推导： 分析过程，处理方法 6.2.2定量推导： 建立理想模型-写少子扩散方 程，边界条件-求解少子分布函数-求扩散电流-结果分析。分析实际与理想公式的偏差  1.热平衡状态 3.反向偏置：