尼曼半导体物理与器件第九章.ppt

第九章 金属半导体和半导体异质结 * 轻掺杂半导体与金属可形成整流接触——肖特基二极管，能带图 理想肖特基二极管I-V特性肖特基二极管与pn结二极管的比较 欧姆接触定义、两种类型 异质结类型、能带图 小 结 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 作 业 9.4 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 热平衡状态下，内建电势差维持了pn结两侧各区域载流子之间的分布平衡。 x′是积分变量，并且假定在x=∞处电势为零。 * 势垒高度的变化△?随着电场强度及反偏电压的增大而增大。 * * Pn结反偏电流以产生电流为主，而对于肖特基二极管，其反偏产生电流比理想反向饱和电流小得多。 第九章 金属半导体和半导体异质结 高等半导体物理与器件 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 高等半导体物理与器件第九章 金属半导体和半导体异质结 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 肖特基势垒二极管 金属-半导体的欧姆接触 异质结 本章内容 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 9.1 肖特基势垒二极管 异质结：两种不同材料组成的结。 金属-半导体接触 欧姆接触：接触电阻很低，结两边都能形成电流 整流接触：肖特基二极管，多发生在金属-n型半导体接触 肖特基二极管电流主要取决于多数载流子流动。 第九章 金属半导体和半导体异质结 * （1）性质上的特征 真空能级作为参考能级。 金属功函数?m，半导体功函数?s；e?为费米能级和真空能级之差。此处，?m?s。 电子亲和能χ。eχ是半导体导带底与真空能级的差值。 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 当金属与半导体紧密接触时，两种不同材料的费米能级在热平衡时应相同，此外，真空能级也必须连续。这两项要求决定了理想的金半接触独特的能带图，如图所示。 理想势垒高度?B0（肖特基势垒）： 半导体一侧，形成内建电势差Vbi： 类似pn结中情况，为半导体掺杂浓度的函数 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 图(a)为零偏情况下金属-n型半导体接触能带图。热平衡，两种材料间具有相同的费米能级。 图(b)为正偏情况（金属上施以相对于n型半导体为正的电压），半导体到金属的势垒高度将降低Va，使电子变得更易从半导体进入金属，正偏电流方向从金属流向半导体。 图(c)为反偏情况，将使势垒提高了VR。因此，对电子而言，将变得更难从半导体进入金属中。 ?B0保持不变。 xn xn xn 第九章 金属半导体和半导体异质结 * （2）理想结的特性 处理pn结相同方法来确定异质结静电特性 空间电荷区的电场用泊松方程表示为： 假设半导体均匀掺杂，则： C1是积分常数。由于半导体空间电荷区边界电场强度E(xn)=0： 均匀掺杂半导体，场强是线性函数，金属与半导体接触处，场强达到最大值。由于金属中场强为零，因此在金属-半导体结的金属区中存在表面负电荷。 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 与pn结计算方法相同W，结果与p+n结相同，均匀掺杂半导体： VR是所加反偏电压。运用突变结近似。 结电容的结果与p+n结也是相同： 砷化镓肖特基二极管Vbi比硅二极管的大 第九章 金属半导体和半导体异质结 * （3）影响肖特基势垒高度的非理想因素 第一种因素是肖特基效应，即势垒的镜像力降低效应。 电介质中距离金属x处的电子能够形成电场，电场线与金属表面必须垂直，与一个距金属表面同样距离（金属内部）的假想正电荷（+e）形成的电场相同，这种假想的影响如下图所示。 对电子的作用力取决于假想电荷的库仑引力 电势的表达式为 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 电子的电势能为-e?(x)；图（b）是假设不存在其他电场时的电势能曲线。电介质中存在电场时，电势表达式修正为 恒定电场影响下，电子的电势能曲线如图（c）所示。由图可见势垒的峰值减小了，这种势垒减小的现象就是肖特基效应。 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 肖特基势垒减小△?，最大势垒对应的xm可由下式求得 得出 界面态 则 右图为GaAs和Si的肖特基二极管的势垒高度与金属功函数的关系。 曲线与理想势垒公式不相符。 金属-半导体的势垒高度由金属功函数及半导体表面和接触面的状态共同决定。 第九章 金属半导体和半导体异质结 * 假定金属与半导体之间存在一条窄的绝缘层，形成电势差，但电子在金属与半导体间可自由流动。 金属与半导体的接触表面，半导体呈现出表面态分布。 热平衡下，金属-半导体结的能带图及表面态 假定表面势?0以下的状态是施主态，如表面出现电子，则将其中和，如没电子，则呈现正电荷；以上的是受主态，如没电子，则将其中和，如有电子，则呈现负电性。 图中?0以上EF以下的一些受主状态，表面态密度Dit态/cm2·eV，则表面势、表面态密度及其他半导体参数的关系如下： 第九章 金属半导体和半导体异