尼曼半导体物理与器件第五章.ppt

第五章 载流子输运现象 * 前边讨论的都是均匀掺杂半导体，实际半导体器件中，经常有非均匀掺杂的区域。 热平衡状态下：非均匀掺杂将导致杂质浓度空间分布不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷（杂质离子）存在而产生内建电场。 内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反，当达到动态平衡时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成了迁移率和扩散系数之间的关联：爱因斯坦关系。 5.3 杂质梯度分布 第五章 载流子输运现象 * （1） 感生电场 E x Ec Ev EFi EF 热平衡状态不均匀掺杂n型半导体 nx 热平衡状态，费米能级为一个常数，因而非均匀掺杂半导体不同位置?E=Ec-EF不同。 多子（电子）从高浓度位置流向低浓度位置，即电子沿+x方向流动，同时留下带正电荷施主离子；施主离子与电子在空间上的分离将会诱生出一个指向+x的内建电场，该电场会阻止电子进一步扩散。 达到平衡后，空间各处电子浓度不完全等同于施主杂质的掺杂浓度，但是这种差别并不是很大。（准电中性条件） 第五章 载流子输运现象 * 对于非均匀掺杂的n型半导体，定义各处电势（电子势能除以电子电量-e）： 一维感生电场定义： 假设电子浓度与施主杂质浓度基本相等（准电中性条件），则： 注意：电子势能负值；电子电量负值；电势正值。 第五章 载流子输运现象 * 热平衡时费米能级EF恒定，所以对x求导可得： 因此，电场为： 由上式看出，由于存在非均匀掺杂，使半导体中产生内建电场。一旦有了内建电场，非均匀掺杂的半导体中就会相应地产生内建电势差。 第五章 载流子输运现象 * （2）爱因斯坦关系 E x Ec Ev EFi EF 以前面分析的非均匀掺杂n型半导体为例，热平衡状态，内部的电子电流和空穴电流密度均应为零，即： 第五章 载流子输运现象 * 假设仍然近似的满足电中性条件n≈Nd(x) 则有： 将电场的表达式代入： 得到： 因而扩散系数和迁移率的关系： 常温下，热电压VT为0.0259V 第五章 载流子输运现象 * 同样，根据空穴电流密度为零也可以得到： 将上述两式统一起来，即： 此式即为统一的爱因斯坦关系。 第五章 载流子输运现象 * 室温下硅、砷化镓以及锗单晶中电子、空穴的迁移率和扩散系数的典型值。 迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度。 扩散系数：反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度。 爱因斯坦关系中的系数和温度有关，载流子的迁移率也是与温度强烈相关的，所以载流子的扩散系数同样也是与温度有着非常强烈的依赖关系。 第五章 载流子输运现象 * 半导体中两种基本输运机制：漂移运动与扩散运动 弱场迁移率恒定，强场速度饱和；半导体中载流子的散射，迁移率和温度以及电离杂质之间的关系 迁移率和电导率之间的关系 载流子扩散与扩散系数和浓度梯度成正比 扩散系数和迁移率的关系（爱因斯坦关系） 小 结 第五章 载流子输运现象 * 作 业 5.6 5.33 5.40 第五章 载流子输运现象 * 掌握载流子漂移运动的机理以及在外电场作用下的漂移电流； 掌握载流子扩散运动的机理以及由于载流子浓度梯度而引起的扩散电流； 掌握半导体材料中非均匀掺杂浓度带来的影响。 * 电场作用下载流子的运动会受到电离杂质、晶格热振动的影响，在漂移的过程中粒子将获得具有一个平均漂移速度。 电子漂移运动速度与电场强度的关系式中有一负号，这是由于电子带负电荷。 * * 温度T上标的3/2是一阶近似条件下得到的。 * 左图为不同掺杂浓度下，硅单晶材料中电子的迁移率随温度的变化关系示意图。从图中可见，在比较低的掺杂浓度下，电子的迁移率随温度的改变发生了十分明显的变化，这表明在低掺杂浓度的条件下，电子的迁移率主要受晶格振动散射的影响。 右图为不同掺杂浓度下，硅单晶材料中空穴的迁移率随温度的变化关系示意图。从图中可见，在比较低的掺杂浓度下，空穴的迁移率同样随温度的改变发生了十分明显的变化，这表明在低掺杂浓度的条件下，空穴的迁移率也是主要受晶格振动散射的影响。 * 上图所示为室温（300K）条件下硅单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，载流子的迁移率发生明显的下降。 下图所示为室温（300K）条件下砷化镓单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，砷化镓材料中载流子的迁移率同样也发生明显的下降。 * 欧姆定律的微分形式：J=σE * 左图所示为n型和p型硅单晶材料在室温条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 右图所示为n型和p型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 * 图中所示为锗、硅及砷化镓单晶材料中电子和空穴的漂移速度随着外加电场强度的变化