原子层沉积技术.ppt

Company Logo LOGO 原子层沉积技术Atomic layer deposition 原子层沉积简介 原子层沉积的基本原则 原子层沉积技术的特点 原子层沉积的前驱体、材料及过程 主要内容 原子层沉积技术的原理 原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)又称原子层外延(atomic layer epitaxy)，原子层沉积是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相沉积薄膜的方法，它可以实现将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面上。 背景：ALD最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。到了20世纪90年代中期，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的精细度不断增加，这样所使用材料的厚度降低值几个纳米数量级。因此原子层沉积技术的优势就体现出来。 原子层沉积简介 原子层沉积技术的原理 前驱体:两种或者两种以上，各含所需沉积薄膜的元素， 交替吸附在基片表面，每次只有一种前驱体，彼此独立。每种前驱体使基片表面饱和形成一单分子层。 中洗气体:冲去表面吸附后多余的前驱体一一保证每一脉冲在基片表面形成一单分子层;使前驱体彼此在气中目不反应。