计算机硬件技术基础 第4讲(存储器).ppt

第4章 内部存储器——目录 4.1 存储系统概述 4.2 内部存储器的作用及其分类 内存的作用、内存的分类 内存的主要技术指标 4.3 半导体存储器的组成及工作原理 随机存储器RAM、只读存储器ROM、内部存储器的组成 4.4 RAM的基本工作方式 4.5 内存模组与基本结构 逻辑Bank与芯片容量表示方法 内存条（模组）的结构及工作原理 第4章 内部存储器——目录 4.6 主流内存条介绍 FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、Rambus 几种常见内存带宽比较 内存接口类型 4.7 内存相关技术 内存双通道内存技术 内存参数的及优化化 内存技术规范及标注格式 4.1 存储系统概述——存储体系 存储系统——是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。存储器可分为两大类：内部存储器和外部存储器。 4.2 内部存储器的作用及分类——作用 4.2 内部存储器的作用及分类——分类 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B  1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B 速度：读取时间=存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR(Memory Data Register)的输出端为止的时间，一般单位为ns(10-9秒)。DRAM芯片：一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成的内存条(模块)：突发传送模式下读写速度可以达到2ns。如DDR400连续读取的极限速度为2.5ns。SRAM芯片：几个~十几ns。 带宽：(存储器位数/8)X读取速度峰值，单位为MB/s。 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 错误校验：内存在读写过程中检测和纠正错误的能力，常用的错误校验方式有Parity、ECC。 奇偶校验(Parity)：每个字节增加一位，共9位，增加的一位用于奇校验或偶校验。只有检错能力。 ECC(Error Checking and Correcting)：一般每64位增加8位。由于差错控制。ECC的功能不但使内存具有数据检错能力，而且具备了数据纠错功能，ECC可以纠正存储器访问的绝大多数错误。 关于SPD(Serial Presence Detect)：用1个小容量EEPROM芯片，记录内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，以完成正确的硬件参数设置(如外频、读取时间、及各种延时)。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM工作原理SRAM基本存储电路单元：双稳态触发器，8个双稳态触发器集成为一个字节的存储单元(寄存器)，多个存储单元集成为存储器芯片，多片存储器芯片组成存储器模块。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM芯片：内部由存储矩阵、地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM DRAM的位存储电路：为MOS管+电容器动态存储电路，其记忆信息的机理是依靠电容器C存储电荷的状态，电容器C有电荷时，为逻辑“l”，没有电荷时，为逻辑“0”。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 只读存储器ROM：一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失。除只读特性外，ROM器件有3个显著的特点：  结构简单，所以位密度高。  具有非易失性，所以可靠性高。  读速度慢。 ROM可以分为5种： 掩膜ROM  这种ROM是由制造厂家利用一种掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，不能修改。 根据制造工艺可分为MOS型和TTL型两种。MOS型ROM功耗小、速度慢，适用于一般微机系统；而TTL型则速度快、功耗大，适用于速度较高的计算机系统。 掩膜ROM是最早期的ROM品种，现在已基本淘汰。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 2. PROM——可编程ROM PROM虽然可由用户编程，但只能有一次写入的机会，一旦编程(写入)之后，就如掩模式ROM一样。 PROM存储器使用熔断丝，熔断丝原始状态导通(1)，将熔断丝烧断编程为0。 PROM是最早期的ROM品