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随反向电压的增加，反向漏电流稍有增加，当 U = URSM 时，反向极击穿。正常工作时，反向电压必须小于URSM。 A P1 P2 N1 N2 K G 反向特性： 在阳极和阴极间加反向电压。 这时PN结P1N1、P2N2反向偏置，N1P2正向偏置，晶闸管截止。 URSM ：反向不重复峰值电压。 1. UDRM：断态重复峰值电压 晶闸管耐压值。一般取 UDRM = 80% UDSM 。 普通晶闸管UDRM 为 100V---3000V 10.2.2 主要参数 U I IH IF 额定正向平均电流 UDSM 正向转折电压 URSM 反向击穿电压 UDRM 控制极断路时，可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶闸管URRM为100V--3000V） 2. URRM：反向重复峰值电压 U I IH IF 额定正向平均电流 UDSM 正向转折电压 URSM 反向击穿电压 UDRM URRM ITAV含义 i t ? 2? ITAV 3. ITAV：通态平均电流 环境温度为40。C时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电角不小于170o的电路中，晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管 ITAV 为1A---1000A。） 额定通态平均电流即正向平均电流。 通用系列为： 1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400 500、600、800、1000A 等14种规格。 U I IH IF 额定正向平均电流 UDSM 正向转折电压 URSM 反向击穿电压 UDRM URRM 4. UTAV ：通态平均电压 6. UG、IG：控制极触发电压和电流 管压降。在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。一般为1V左右。 5. IH：最小维持电流 在室温下，控制极开路、晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。一般为几十到一百多毫安。 在室温下， 阳极电压为直流 6V 时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。一般UG为 1~5V，IG 为几十到几百毫安。 晶闸管型号 通态平均电压（UTAV） 额定电压级别（UDRM） 额定通态平均电流 （ITAV） 晶闸管类型 P---普通晶闸管 K---快速晶闸管 S ---双向晶闸管 晶闸管 K 晶闸管电压、电流级别： 额定通态电流（ITAV）通用系列为 1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400 500、600、800、1000A 等14种规格。 额定电压（UDRM）通用系列为： 1000V以下的每100V为一级，1000V到3000V的 每200V 为一级。 通态平均电压（UTAV）等级一般用 A ~ I字母表示： 由 0.4 ~ 1. 2V每 0.1V 为一级。 * * * * * * （2）发射极e和集电极c的判别 若已判明三极管的基极和类型，任意设另外两个电极为e、c端。判别c、e时按图1.23所示进行。以PNP型管为例，将万用表红表笔假设接c端，黑表笔接e端，用潮湿的手指捏住基极b和假设的集电极c端，但两极不能相碰（潮湿的手指代替图中100k?的电阻R）。 再将假设的c、e电极互换，重复上面步骤，比较两次测得的电阻大小。测得电阻小的那次，红表笔所接的引脚是集电极c，另一端是发射极e。 图1.23 用万用表判别PNP型三极管的c、e极 5.2.2 三极管的电流放大作用 图5.21 三极管的直流供电电路 5.2.3 三极管的伏安特性曲线 1.输入特性曲线 在集电极和发射极电压UCE一定的情况下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线为输入特性曲线。 2.输出特性曲线族 图5.24 NPN型硅管的共发射极接法特性曲线 一般把三极管的输出特性划分为三个工作区域：截止区、放大区和饱和区。 （1）截止区 此时发射结和集电结均反偏，IC=ICEO。若忽略ICEO，则IB、IC近似为0；三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个断开的开关。 （2）放大区 此时三极管的发射结正偏，集电结反偏。IB微小的变化会引起IC较大的变化，电流满足关系式IC=βIB，表现为恒流特性。对于硅三极管：UBE≈0.7V；对于锗三极管：UBE≈0.2V。 （3）饱和区 此时三极管的发射结和集电结均正向偏置，三极管的电流放大能力下降，通常有ICβIB。UCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V，三极管相当于一个导通的开关。 三