第1篇模拟电子技术(李雅轩).ppt

1.1 半导体二极管 1.2 半导体三极管 1.3 场效应管 1.4 晶闸管 现在，我们对ＭＯＳ管的符号再作进一步说明。 在图1.3.6（b）、（c）和图1.3.10（a）、（b）中画出了四种类型ＭＯＳ管各自的符号。在Ｎ沟道ＭＯＳ管符号中，衬底上的箭头是向内的（由Ｐ型衬底指向Ｎ型沟道）；而在Ｐ沟道ＭＯＳ管的符号中，衬底上的箭头是向外的，（由Ｐ型沟道指向Ｎ型衬底）。 在增强型ＭＯＳ管的符号中，Ｓ、Ｄ和衬底Ｕ之间是断开的，表示UGS＝０时导电沟道没有形成；在耗尽型ＭＯＳ管的符号中，Ｓ、Ｄ和Ｕ是连在一起的，表示UGS=0时导电沟道业已存在。此外，在集成电路中，如无需区别沟道类型、工作型式时，MOS管可采用图1.3.12所示的简化符号。 1.3.3 场效应管的主要参数 (1) 开启电压UGS(th): 当UDS为常数时，形成ID所需的最小|UGS|值，称开启电压。  (2) 夹断电压 U GS(off): 在UDS固定时，使ID为某一微小电流(如1μA、10μA)所需的UGS值。 (3) 低频跨导gm: UDS为定值时，漏极电流ID的变化量ΔID与引起这个变化的栅源电压UGS的变化量ΔUGS的比值，即 (4) 漏源击穿电压U（BR）GS: 管子发生击穿，ID急剧上升时的UDS值；UDSU（BR)GS。 (5) 最大耗散功率PDM: PD=I DUDSPDM。不能超过PDM，否则要烧坏管子。  (6) 最大漏极电流IDM：管子工作时，ID不允许超过这个值。 1.３.４ 场效应管与三极管的比较 (1) 场效应管是电压控制器件， 而三极管是电流控制器件， 但都可获得较大的电压放大倍数。  (2) 场效应管温度稳定性好， 三极管受温度影响较大。  (3) 场效应管制造工艺简单， 便于集成化， 适合制造大规模集成电路。  (4) 场效应管存放时，各个电极要短接在一起，防止外界静电感应电压过高时击穿绝缘层使其损坏。焊接时电烙铁应有良好的接地线， 防止感应电压对管子的损坏。 1.4.1 晶闸管的基本结构 晶闸管是在晶体管的基础上发展起来的一种大功率半导体器件， 由四层半导体Ｐ1、Ｎ１、Ｐ２、Ｎ２制成，形成三个ＰＮ结Ｊ１、 Ｊ２、 Ｊ３，如图1.4.1(ａ)所示。由最外的Ｐ１层引出的电极为阳极Ａ，最外的Ｎ２层引出的电极为阴极Ｋ，由中间的Ｐ２层引出的电极为控制极Ｇ，然后用外壳封装起来，图1.4.1(ｂ)为示意图。图1.4.1(ｃ)是晶闸管的表示符号。 普通型晶闸管有螺栓式和平板式。图1.4.2 (ａ)是螺栓式晶闸管，图中带有螺栓的是阳极引出端，同时可以利用它固定散热片，另一端较粗的一根是阴极引出线，另一根较细的是控制极引出线。图1.4.2 (ｂ)是平板式晶闸管，中间金属环是控制极，用一根导线引出，靠近控制极的平面是阴极， 另一面则为阳极。 1.4.2晶闸管的工作原理 为了说明晶闸管的工作原理， 把晶闸管看成由一个ＮＰＮ型的晶体管Ｖ1和一个PNP型晶体管Ｖ2两个晶体管联接而成， 阴极K相当于Ｖ1的发射极，阳极A相当于Ｖ2的发射极，中间的P2层和N1层为两管共用，第一个晶体管的基极与另一个晶体管的集电极相联接，如图1.4.3所示。 (1) 控制极不加电压（开路），当阳极A和阴极K之间加正向电压（A为高电位，K为低电位）时，由图1.4.3可知，PN结J1和J3处于正向偏置，J2处于反向偏置，且IG=0，故V1不能导通，晶闸管处于截止状态（称阻断状态）；  根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图1.2.12所示， 由PCM、ICM和U（BR）CEO包围的区域为三极管安全工作区。 例 2.1在图1.2.6所示电路中， 若选用3DG6D型号的三极管， （1）电源电压UCC最大不得超过多少伏？ （2）根据IC≤I CM的要求，RP2电阻最小不得小于多少千欧姆？ 解：查表，3DG6D参数是：ICM=20mA, U(BR)CEO=30V, PCM=100mW。 (1)UCC= (2)UCE=UCC-ICRP2 IC= 其中，UCE最低一般为0.5V，故可略。由IC＜ICM，所以