微电子电路分析方法与定理.pptVIP

半导体物理和器件物理基础;;施主杂质和受主杂质： 对于Si ~ “施主”：P、As、Sb； “受主”：B、Al、Ga、In 。 特点：提供载流子；掺入杂质较难（高温扩散，离子注入）。;;理想p-n结的I-V特性曲线;pn结的电流电压方程(肖克莱方程式);———— BJT的基本工作原理 ————;* 基本结构 * 构成: 由2个相距很近、背靠背的p-n结组成( 发射区-基区-集电区) ； 有 n-p-n 和 p-n-p 两种结构。 放大工作时: 发射结正偏 (→发射结电阻re很小 ); 集电结反偏 (→集电结电阻rC 很大 ). 制造: Si晶体管常采用平面工艺 (外延, 氧化, 光刻, 扩散, ……); 合金管？;;集成电路制造工艺; 基尔霍夫定律与电路元件; 2.电路中的基本变量 1) 电流 电荷有规则的定向移动形成传导电流。其大小用电流强度， 即 i=dq/dt 表示，单位为安(A); 规定正电荷运动的方向为电流的实际方向；假定正电荷运动的方向为电流的参考方向。 2) 电压 电位之差称电压。用移动单位正电荷电场力做功来定义， 即u=dw/dq，单位为伏(V)；规定电位真正降低的方向为电压的实际方向；假定电位降低的方向为电压的参考方向。在分析电路时，所用到的电流、电压，首先应设出它们的参考方向。 ; 3 功率 做功的速率称功率，即p=dw/dt，单位是瓦(W)。 对二端电路(其内可以是单个电路元件，亦可以由若干电路元件组合连接构成)，若电压电流参考方向关联，该段电路吸收功率 p吸=ui, 供出功率p供=-ui(供出功率也称产生功率)； 若电压电流参考方向非关联，则计算该段电路吸收功率和供出功率公式与参考方向关联时均差一负号。 ;方程法分析 ; 以各节点电位为未知量，将各支路电流通过支路VAR 用未知节点电位表示，依KCL 列节点电流方程(简称节点方程)，求解出各节点电位变量，进而求得电路中需要求的电流、电压、 功率等，这种分析法称为节点电位法。;电路定理;齐性定理（homogeneity theorem）：在只有一个激励X作用的线 性电路中，设任一响应为Y，记作Y=f (X)，若将该激励乘以常数 K，则对应的响应Y′也等???原来响应乘以同一常数， 即Y′=f (KX)=Kf(X)=KY。;叠加定理：在线性电路中，由几个独立电源共同作用产生的响应等于各个独立电源单独作用时产生相应响应的代数叠加。 ;戴维南定理 ;诺顿定理 诺顿定理(Norton′s Theorem)可表述为：一个含独立电源、线性受控源和线性电阻的二端电路N，对两个端子来说都可等效为一个理想电流源并联内阻的模型。其理想电流源的数值为有源二端电路N的两个端子短路时其上的电流isc，并联的内阻等于N内部所有独立源为零时电路两端子间的等效电阻，记为R0。 ;戴维南定理、诺顿定理 是等效法分析电路最常用的两个定理。解题过程可分为三个步骤：① 求开路电压或短路电流；② 求等效内阻；③ 画出等效电源接上待求支路，由最简等效电路求得待求量。  最大功率这类问题的求解使用戴维南定理(或诺顿定理)并结合使用最大功率传输定理最为简便。; 正弦稳电路分析 ;设两个频率相同的正弦电流i1和i2，它们的初相角分别为θ1和θ2，那么这两个电流的相位差等于它们的初相角之差，即 ;对正弦电流;;例 :如图所示电路，求电压uab和电流i1。 ; 由叠加定理得;例: 如图电路，含有一受控源，求电流i, 电压u。 ;解 ;已知