高等半导体第四章课件.ppt

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高等半导体第四章课件

* * * * * * * * * * * * 超晶格中的声学振动和光学振动 光 (1)超晶格中的声学振动 超晶格声学声子在小布里渊区的色散曲线可看作大布里渊区中A,B平均声学声子色散曲线折叠到小布里渊区,再加上两者差别的“微扰”而产生。 构成超晶格的两种材料的体声学声子的色散关系比较接近,其频率分布范围都从零开始并在一很大范围内重合,而且声速具有同一数量级。对于折叠声子,超晶格结构参数中大原胞周期L起主要作用。 *连续介质弹性模型及声学声子折叠 对于长声学波,晶体可以看成是连续弹性介质。 长声学波的色散关系: 即:声学声子振动频率?与波矢q是线性关系,比例系数通常称为声速。?为质量密度。 弹性模量C11 C44, 反映应力分量与应变分量的关系: 体材料中的声学振动,一般用平面波描述: (纵波) (横波) 考虑沿生长方向z方向纵波的传播,且在超晶格中两种材料的质量与弹性模量均不相同。有: 其中 ( 5 – 3 ) ( 5 – 4 ) 相当于材料A中的k值 相当于材料B中的k值 超晶格中纵声学波位移可表示为: 为在z方向的声学声子波矢, 和 分别为材料A和B层的中心坐标。同样需要满足边界条件:位移矢量连续及应力法向分量的连续。略去数学上的推导,得到声学声子在超晶格中的色散关系: LA和LB分别为A和B材料层的厚度。 L= LA+ LB 典型的半导体超晶格,如GaAs/AlAs, 因此(5-6)中第二项可忽略,作为零级近似,色散关系可表示成(5-9)式, 定义超晶格平均纵声学波速度为: 由 对于 超晶格 在布里渊区 有(m+n)个超晶格纵声学波微带。振动的二重简并发生在布里渊区的中心及边界。 当考虑(5-6)式第二项,并将它作为微扰来处理,声子谱在布里渊区边界简并分裂,产生微带隙。 虚线为零级近似,实线表示在微扰作用下布里渊区中心及边界简并态的分裂。 考虑(5-6)式第二项,并作为微扰来处理,声子谱在布里渊区边界简并分裂。 横声学声子处理方法类同。 连续弹性模型只适用于长波长声学振动,当波长与晶格常数可比拟时,上述分析失效。 (2)超晶格中的光学振动 “声子量子阱”,即:对于频率落在A材料声子带内的振动,B材料相当于“声子势垒”,反之亦然。 因为光学声子带一般比较窄,且不同材料的作用力常数与折合质量比较分散,超晶格中的光学声子只限制在超晶格的一种组分中。 对于限制模,起主要作用的超晶格结构参数并不是大原胞周期L,而是每种组分材料的厚度。 *连续介电模型,限制的光学声子模 令 由于在左右两个与A的界面处,要求与A层的D = 0连续 超晶格中宏观界面模色散关系。 “+, -”代表GaAs(AlAs)库仑模静电势相对于阱或垒中心面对z的反演宇称的偶与奇。 在连续介电模型中,类体模和介电模互不相干,是各自独立的两类振动模式。 §6 超晶格量子阱的光学性质 超晶格光学性质的研究除了传统上的意义之外,超晶格的光吸收谱,荧光发射谱、激发谱、光反射谱、拉曼光谱等是研究超晶格电子结构的主要手段,特别是光谱研究所揭示的超晶格量子阱新颖的光学性质,为新器件原理提供了有效的实验依据。 关于光跃迁的一般规律在第二章已有详述,激子跃迁、浅施主态、受主态及超晶格子能级间的跃迁等都可在有效质量理论框架内处理。 有效质量理论: 带底、带顶的波函数分别为: 为导带底和价带顶包络函数。 跃迁矩阵元 在有效质量近似下 下面在零级近似下讨论各种跃迁。 § 6-1 带间跃迁 允许跃迁 要求 其中 6-2 带内跃迁 指一个带如导带中个量子能级之间(或子带间)的跃迁,其 零级跃迁矩阵元: 需考虑零级和一级偶极跃迁,其矩阵元: m* ~ 0.1m0, (6-6)比(6-5)计算的跃迁几率结果差2个量级, 必须计算带内跃迁一级项贡献。 比较带间跃迁和带内跃迁矩阵元的大小。 带间跃迁矩阵元 对于基态重叠积分为1, 带内跃迁矩阵元 在一维无穷势阱,带内束缚态波函数: 基态与第一激发态间的跃迁矩阵元 带内与带间跃迁矩阵元之比: , L a,带内跃迁几率与带间跃迁几率同一量级。 带内跃迁是超晶格光学性质的重要特点, 制作红外探测器和红外激光器。 图20 6.5nm和8.2nm阱宽的GaAs/Al0.3Ga0.7

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