第一讲半导体.pptVIP

(1) 注重物理概念 (2) 采用工程观点 2. 本课程的学习方法 实际工程问题的特点 a. 电子器件的特性具有分散性 b. 元器件的实际参数值与标称值有一定的偏差 d. 难以进行精确计算 c. 实际参数值受环境温度等因素的影响而偏离设计值 实际工程问题的算法——估算法 a. 忽略一些次要的因素。 b. 采用简化的工程模型。 工程问题合理估算的依据 估算结果所产生的误差应不超过10% c. 有些实际问题的简化处理往往是经验，或者由实验证明而得出的结论。 工程估算的目的 a. 不是为了获得精确的结果。 b. 而是为了获得清晰的、定性的概念和结论。 c. 利用获得概念和结论，进一步指导电路和系统的 设计和实验。 1.4 半导体基础知识 自然界中，很容易导电的物质成为导体，金属一般 都是导体有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮， 陶瓷，塑料和石英，另外有一类物质的导电特性处于导 体和绝缘体之间，称为半导体。 导电能力(电阻率) 导体 半导体 绝缘体 (1)热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。 (2)光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。 (3)掺杂性：导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大，称为掺杂性。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 热敏性 光敏性 掺杂性 主要特性 ? 热敏电阻 ? 光电二极管和光电三极管及光敏电阻 ? 二极管、三极管、场效应管 半导体特性 +4 价电子 硅和锗的原子结构及简化模型 +4 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 1.4.1 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 把硅和锗材料制成单晶体时，相邻两个原子的一对最外层电子 成为共有电子，它们一方面围绕自身的原子核运动，另一方面又出 现在相邻原子所属的轨道上，即价电子不仅受到自身原子核的作用 ，同时还受到相邻原子核的吸引。于是，相邻的原子共有一对价电 子，组成共价键结构。 本征半导体的共价键结构 1.本征半导体的晶体结构 1.本征半导体的晶体结构 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 2.本征半导体的两种载流子 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 空穴 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 自由电子 带负电荷 逆电场运动 电子流 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 E ＋ － 载流子 空穴 带正电荷 顺电场运动 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化-导电性变化；光照变化-导电性变化。 导电机制 由此可见： 半导体中存在两种载流子，带负电的自由电子和带正电的空穴。 空穴和自由电子是成对产生的，因此，它们的浓度是相等的。 本征半导体的导电性能很差，而且和环境温度密切相关。 本征半导体材料性能对温度的这种敏感性，既可以用来制作热敏元件和光敏元件，又是造成半导体器件温度性能差的原因。 1.4.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素。 用掺杂的方法来增加载流子的浓度。 (1) N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 施主离子 自由电子 电子空穴对 c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数