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2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 第0章 绪论 场效应器件物理 张丽 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 2 现代集成电路人才的知识结构 物理级：量子力学→固体物理→半导体物理→半导体器件物理 电路级：数字电路→模拟电路→数字集成电路→模拟集成电路 系统级：信号与系统→计算机体系结构，通信系统原理，数字信号处理 工艺级：半导体工艺原理→半导体化学，材料与封装 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 3 本课程要求 听课要求 预习教材，记好记录 注重概念原理，兼顾公式数据 先期基础 半导体物理：能带论，载流子输运 双极型器件物理：pn结 教材 D.A Neamen 《半导体物理与器件》 参考书 施敏 《半导体器件物理》 考核方式 平时成绩20％ 考试 80％ 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 4 集成电路概况 集成电路（IC，Integrated Circuits） ：通过一系列工艺，在单片半导体材料上（硅或者砷化镓）加工出许多元器件(有源和无源的)，这些元器件按照一定要求连接起来，作为一个不可分割的整体执行某一特定的功能； 封装好的集成电路 集成电路芯片的显微照片 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 5 集成电路概况 芯片工艺：0.6um，CMOS 主频：100MHz 晶体管数目：320万 Intel奔腾CPU内部显微照片 集成电路的内部电路 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 6 集成电路概况 晶体材料制备 晶圆制备 IC芯片制备 测试封装 Wafer（晶圆） Chip（芯片） 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 7 集成电路概况 集成电路园片(Wafer) Intel Pentium 4 Intel Xeon™ Intel Itanium Wafer（晶圆） Chip（芯片） 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 8 集成电路概况 摩尔定律 Moore’s Law 摩尔1965年预测说半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年翻一番 1975年又提出修正说，芯片上集成的晶体管数量将每两年翻一番 引自Electronics, April 19, 1965. Moore预测曲线的原始手稿 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 9 集成电路概况 芯片制造水平 最小特征尺寸 特征尺寸：最小栅长，光刻精度， 决定工艺水平。 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 10 集成电路概况 硅基IC发展的可能极限 1nm是研究的极限：1nm相当于13个硅原子并排放在一起的尺度，再往下就没有理论研究的意义了； 1－4nm是物理极限：量子效应已经很明显，会使器件无法工作，即使有新型器件结构出现，也将无法用于超大规模集成电路； 4nm是制造极限：工艺水平无法实现更小的尺寸需求，在这个极限以下就只能做理论研究，而无法制作样品了； 9nm是成本效益的极限：这种器件即使能研制出来，它的成本已经超过尺寸减小带来的好处，性价比下降，没有实用价值。目前25nm工艺即将投入使用，离9nm的成本效益极限已经不远了。 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 11 关于距离量级的感性认识 1m=102 cm=103mm=106um=109nm= 1010A= 1012pm = 1015fm 2003年制造芯片的尺寸控制精度（180nm）已经达到头发丝直径的1万分之一，相当于驾驶一辆汽车直行400英里，偏离误差不到1英寸！ 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 12 集成电路概况 集成电路是电路的单芯片实现； 集成电路是微电子技术的核心； 2017-6-4 XIDIAN UNIVERSITY 13 场效应器件概况 器件的分类 MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor FET pn-JFET pn Junction Gate FET MESFET Metal-Semicond