Chp03电子技术电路(模拟部分)康华光版课件_第03章.ppt

2007年6月 电工电子教研室 第四版 §3.3.3 二极管的参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。 3. 反向电流 IR 指管子未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。 §2.3.3 二极管的参数 4. 二极管的极间电容（parasitic capacitance） 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容(barrier（depletion）capacitance)CB和扩散电容(diffusion capacitance)CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 §2.3.3 二极管的参数 4. 二极管的极间电容 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在高频和反向偏置时明显。 CD在正向偏置时明显。 §3.3.3 二极管的参数 5. 微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 §3.4.2二极管电路的简化模型分析方法 1.理想模型（ideal diode) vD iD 当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型作近似分析。 iD vD 2.恒压降模型（offset model) 二极管导通后，认为其压降是恒定的，典型值为0.7V，只有当二极管的电流大于等于1mA时，才是正确的。 vD iD vD iD Vth §3.4.2二极管电路的简化模型分析方法 3.折线模型(piecewise linear diode model) 认为其压降不是恒定的，而是随着二极管电流的增加而增加，用一个电池与一个电阻的串联来进一步的近似。 rD近似为 200Ω。 vD iD Vth≈0.5V vD Vth rD iD §3.4.2二极管电路的简化模型分析方法 * 3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 3 半导体二极管及基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体的导电作用 3.1.4 杂质半导体 导体(conductor)：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体(semiconductor)：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体(insulator)：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 §3.1.1 半导体材料 §3.1.1 半导体材料 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 § 3.1.2 半导体的共价键结构 Ge Si 动画演示 § 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的共价键(covalent bond)结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 动画演示 § 3.1.3 本征半导体的导电作用 1.本征半导体(intrinsic or pure insulator) 硅和锗的晶体结构： 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 § 3.1.3 本征半导体的导电作用 2.载流子、自由电子和空穴(carrier、free electrons and holes) +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 动画演示 § 3.1.3 本征半导体的导电作用 3.载流子的产生与复合 +4 +4 +4 +4 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 动画演示 § 3.1.4 杂质半导体 1. P 型半导