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第三章 内全反射 本章将给出用于描述微光学器件的有关倏逝场的基本电磁理论。在分 析和处理各种涉及倏逝波的仪器或元件之前，有必要对简单的产生倏 逝波的系统进行分析研究。这些结构可能还会出现在传感器、功率分 割器和光探针显微镜中。下面是几种产生倏逝波的简单系统。 1.平面波内全反射 2.光束小孔衍射 3.光栅衍射 4.导模中的倏逝场 本章主要讨论内全反射现象。讨论内全反射的场分布、各种偏移现象， 并讨论光学隧道效应。 当一定尺度的光束发生全反射时，光束是反射界面平面上会发生偏 移，即所谓“Goos－Hanchen 位移”。还将讨论半无限介质平面上的 全反射受抑现象和超结构的应用和共振隧道效应。 3.1 内全反射的电磁场 3.1.1 Snell’s law 首先讨论折射率n 和n 两种介质构成的界面。平面波以入射角θ 1 2 1 照射导界面。如果n n ,光束发生折射和反射，折射和反射角由 2 1 Snell’ law 描述 n sin θ n sin θ （3.1） 1 1 2 2 如果光束由光疏介质传输到光密介质时 （fig3.1）有θ θ .如果光束 1 2 从光密介质到光疏介质如fig3.2 ；如果入射角小于 θ sin− 1(n / n ) 1 2 1 如果入射角小于θ sin− 1(n / n ) 则折射角可以由Snell’s law 计算。θ 1 2 1 1 称为临界角，用θc 表示。 当入射角超过临界角，光线不能在第二介质中传输，发生全反射。但是，第二介质中仍 然有波存在，称为倏逝波。 发生内全反射现象最早是由牛顿发现。但是全面分析该现象要用电磁场理论。 3.1.2 内全反射的电磁场理论分析 设x －y 面为介质1 和介质2 的界面，z 指向是光密到光疏介质。见Fig.3.3 。y ＝0 面为入 射面。在发生全反射时（θθ ）,入射、反射和透射波矢为K 、K 和K 。 c i r x 设入射平面波的电磁场分别为Ei 和Hi  E i   H i   x   x  E i  E i  和 H i H i  （3.2）  y i   y i   E   H   z   z  通常将场分解为p 极化（平行于入射面）和s 极化（垂直于入射面，德文：senkrech）。 E E e + E e p x x z z （3.3） Es E e y y p 极化也称横电（tensverse）分量，s 极化称横磁分量。 3.1 ．3 第二介质中z ＝0 界面上的电磁场分量 应用电磁场在界面上的连续性方程，得到z＝0 界面上包含入射平面波在介质1 中的电 i i 场 E 和 E 的表达式；公式中略去了与时间相关变量exp(j ωt), 和 x 坐标的相关变量 s p ( ( ) ) exp − jxn 1 ω / c sinθ ，（ Ref: Axelrod D.,” Total internal reflec