IC封装基础.ppt

2.0 IC封装的电学基础 封装功能 信号、功率分配、机械支撑和环境保护 电气功能 提供信号通路 进行合适的功率分配使得电路正常工作 电气性能的封装设计基础 欧姆定律 V=IR。电阻通过将电功率转化为热，因而尽可能减小连线和导通路径的电阻非常重要 趋肤效应 高频下，电流沿着导体表面聚集。(深度定义：1/e的表面磁场强度，约36%) R增大； 交流信号：电压和电流的正弦波相位可能不一致(电路中电容和电感的存在，存储和释放能量) 基尔霍夫电压定律 闭合回路上压降为0 噪声：非理想效应使得信号的波形和幅度失真。寄生电容和寄生电感 时间延迟：t=RC；L/R 同步开关噪声(SSN):信号的波动，电源不能及时响应造成系统中某点的局部DC电源电压暂时减小而引起的——解决办法：设置去耦电容 传输线 串扰 电磁干扰EMI：杂散或寄生电容和电感 2.1 IC封装的主要形式 2.2.2 引线连接(芯片与外壳电学互连） 　引线键合机的超声系统结构图 球键合与楔键合的比较 主要优点是适用于精细间距(如50μm以下的焊盘间距)低线环形状（在使用金线的情况下, 稳定的楔形焊接能实现角度小于35℃的引线焊接）,可控制引线长度,超声焊接工艺温度低。常见楔键合工艺是室温下的Al丝超声波键合,其成本和键合温度较低。而Au丝采用150 ℃下的热压超声波键合,其主要优点是键合后不需要密闭封装。由于楔键合形成的焊点小于球键合,特别适用于微波器件、尤其是大功率器件的封装。 缺点：是一种单一方向焊接工艺(即第二次焊接必须对准第一次焊接的方向)即只能在线的平行方向形成焊点；由于键合工具的旋转运动,其总体速度低于热压超声球键合。 楔键合 优点：球键合是一种全方位的工艺(即第二次焊接可相对第一次球焊360°任意角度) 。 球键合 球键合一般采用直径75 μm 以下的细金丝。因为其在高温受压状态下容易变形、抗氧化性能好、成球性好。一般用于焊盘间距大于100μm的情况。 　压焊键合点强度拉断试验原理图 ——将每个集成电路所需引线图形一个一个连续地制作在类似电影胶卷的聚酰亚胺栽带上，在芯片的各个焊区作出凸起焊点。引线的内焊接点对应于芯片的焊点，外引焊线压焊于引线框架上。 2. 载带自动键合(TAB)技术 3.倒装芯片技术 芯片通过焊球(凸点)附着于芯片载体上(倒装焊).焊球大约0.003-0.005英寸高. 特点: (1)将这些凸点键合或熔合制作出所需的全部电、机械与热连接,所有的连结都在一步工艺中完成. (2)由于其连接不像引线键合中那样仅限制在芯片的边缘,因此具有较好的I/O的灵活性. (3)引线通路十分合理,不像引线键合中的那么弯曲,因而会改善性能并提高速度. (4)可在器件的背面粘接热沉,有极佳的热处理能力和较高的可靠性. 焊球材料 金凸点 锡凸点 导电性环氧树脂凸点 研究焊点附近的应力分布，分析其对器件性能的影响。 一般,倒装焊的形成有两种方法:一是使用焊料;另一种是导电胶.目前,大多数封装过程中的互连是用焊料(63%Sn, 37%Pb) 或 高 Pb (97%Pb, 3%Sn). Flip Chip packaging 插装型 晶体管外壳封装（TO） 矩形单列直插封装（SIP） 双列直插封装（DIP） 针栅阵列封装（PGA） 2.2.3 封盖 TO型金属 电阻熔焊法或环形平行封焊法 惰性气体或氮气 TO型塑料 环氧树脂 DIP封装 CDIP 陶瓷型 , PDIP塑料型 , SDIP窄节距 * 第2章 IC 封装基础 *封盖(用金属、陶瓷、塑料或它们的组合封装起来) *各类型的元器件安装到PCB（或其它基板）上 （一级封装） （二级封装） 组装 （三级封装） 完整的功能部件或整机 * 各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上 按外壳材料性质划分 · 金属封装 · 陶瓷封装 · 塑料封装 · 薄膜多层封装 第2章 IC 封装基础 · 扁平式(QFP) · 片式载体(LCC) · 球栅阵列(BGA) · 倒装焊(FC) 按与PCB结合方式划分 引脚插入型(PTH) · 单列直插式(SIP) · 双列直插式(DIP) · 针栅阵列(PGA) 表面安装式(SMT) · 小外形封装(SOP) · 芯片尺寸封装(CSP) 窄节距 单列曲插式 Z形直插封装 小外形封装 薄型小外形封装 薄型 1.4mm 1.2mm 四边引脚扁平封装 Land Grid Array 触点阵列 LGA全称是Land Grid Array，直译过来就是栅格阵列封装，与英特尔处理器之前的封装技术Socket 478相对应，它也被称为Socket T。说它是“跨越性的技术