《光电子技术基础》(第二版)朱京平Chap4。3.ppt

4.3.2 本征方程 超越方程，两种求解法： 作图法 等号左边函数tan(hd) 画为实线，右边函数F(hd)画为虚线，分母为零时，F(hd)出现奇点 两组曲线交点为一系列hd取值，为β的函数，对应一系列分立β取值 。 当 时，右边成为虚数，与tan(hd)为实数相悖，因而虚线终止于 ，即截止条件 。 每一 对应一个TE导模 ，对应有模场 ，及相应的 。 数值计算法 平面波导TE模本征方程的图解 4.3.3 对称波导 的波导，称对称波导 激光二极管、集成光路、光纤等中常被采用。与 的波导有一些不同。 截止条件 由(4-17)有 即： (m=0，1，2，·········) 将 代入得： 时 ，即最低阶模 、 没有截止值，即在对称波导中至少有 、 两种模存在；而不对称波导中各种模式均可被截止。 还可得到要形成波导所需的最小折射率差 4.3.4 扩散平板光波导 集成光电子器件常用扩散法制作光波导，通常阶跃平板光波导方法分析不再适用。 ——根据扩散离子浓度分布与折射率分布间关系及折射率分布特性，用有效折射率法分析扩散波导性质 z切x传钛扩散铌酸锂(Ti:LN)平板波导为例。 ：晶体表面折射率变化量； ：体扩散深度。 扩散条件决定的折射率变化具有以下几种典型分布： (1)指数分布函数 形式最简单。是最初采用的典型折射率分布函数，扩散玻璃光波导常取该形式，但Ti:LN光波导折射率分布符合情况略逊。 (2)余误差函数分布 膜层金属刚好扩散完时衬底中折射率分布的最好描述， 扩散时间较短，如外扩散铌酸锂波导时，一般取这种近似。 4.3.4 扩散平板光波导 (3) Guass分布 扩散时间足够长，从而使 (d：待扩散金属膜层厚度)，如内扩散铌酸锂波导折射率分布与此符合最好。 令 ，扩散引起的折射率变化可用 形式描述，在z=0处取最大值，且随z的增加而逐渐减小，取值范围在0到1之间，即： 其中 ， 为扩散前体折射率， 为扩散后表面折射率。当 很小时，上式可近似为 导模在扩散波导中的传播途径如图所示。 4.3.4 扩散平板光波导 沿x方向传播的模其传播矢量为 ， 表示x方向单位矢量。深 处传播矢量为 ， 与 轴间的夹角为 传输距离沿x方向每增加 ，波透入波导深度增加 ，相应相位变化： 4.3.4 扩散平板光波导 导模从表面开始不断深入波导，到 处 ， ，光线开始向表面折回。 时，z向总的相位变化 可表示为 再考虑全反射相移。在扩散波导上表面， ， ， ， 则TE、TM模界面相移分别为 ( ) 4.3.4 扩散平板光波导 扩散波导 ，因而， ，又因为Ti:LN光波导折射率远大于空气折射率，于是，上表面处TE、TM模相移均可近似为 扩散波导中行进的波在透入最深点处也会产生一个相移，相应于波掠射且折射率趋向均匀的极限情况，TE、TM模相移均为 根据横向相位匹配条件式(4-6)可得： 采用式(4-19)定义的归一化参数，上式可简化为 ——扩散平板光波导的模式色散方程。 4.3.4 扩散平板光波导 根据模式色散方程分析扩散光波导性质 图4-8为两种扩散光波导b-V曲线。neff、 ?n分别对应于前述neff、?n0。 图4-9为两种扩散光波导ne