CdSe纳米线阵列的制备及其表征.pdfVIP

第 期 无 机 化 学 学 报 +,(-W# .,-## ## 年 月 012.$3$ 4567.89 5: 2.57;8.20 01$23=7 ’(C-/ !! !! ## #$%纳米线阵列的制备及其表征 ! 杨文彬 卢忠远 胡小平 李鸿波 张冰杰 西南科技大学材料科学与工程学院 绵阳 ! ! #$%$’ 摘要 通过在含有 W 和 W[ 的室温水溶液中 用模板电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜 模板中制备了高有序性 ! S4S+ R $ MMNV 的 纳米线阵列 并对其形貌 结构和组分进行了表征 扫描电子显微镜 和透射电子显微镜 结果表明 纳米线阵 RS4 $ ’ S\NV ]\NV $ 列中的 纳米线具有相同的长度和直径 分别对应于使用的 模板的厚度和孔径 射线衍射 和 射线能谱 $ % RS4 MMN ^ X^_KV ^ 结果表明 纳米线中 和 的化学组成非常接近于 其结构为立方 另外 对模板电沉积法制备 X\KM^V $RS4 R S4 *** $ RS4 $ RS4 纳米线的机理进行了讨论 关键词! 纳米线阵列 阳极氧化铝膜 模板电沉积 形貌 结构 RS4 % % % % 中图分类号! % [ 文献标识码! 文章编号! -*W;- -*‘;W‘ W M *%%* ‘$-*XW%%!V** *-*a %‘ *$+,-$-#)% - ./-$-0#+$)1-#)% %2 .3+ 4-%5)$+ 6$$-78 bM’T c41#d61! ef QB(12#b901 gf ^60(#h612 ei g(12#d( QgM’T d612#j64 X!#$$% $ ’()*+,(%- !,*.* (./ 0.1,.**+,.12 !$3)#4*-) 5.,6*+-,)7 $ !,*.* (./ 8*#.$%$172 ’,(.7(.