第5章半导体器件基础2.ppt

1. 三极管的结构与符号 2.电流分配与放大作用 晶体管内部载流子的运动 不讲 5.4 场效应管 5.4.1 结型场效应管 5.4.2 绝缘栅型场效应管 5.4.3 场效应管的主要参数 5.4.4 场效应管与晶体管的比较 5.5 单结晶体管和晶闸管 5.6 集成电路中的元件 5.4.1 结型场效应管（以N沟道为例） 单极型管：噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区 5.4.1 uGS对导电沟道的控制作用 uGS可以控制导电沟道的宽度。 为什么g-s必须加负电压？ 5.4.1 uDS对漏极电流iD的影响 5.4.1 结型场效应管的输出特性曲线 5.4.1 结型场效应管的转移特性曲线 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 5.4.2 N沟道增强型MOS管 uGS增大，反型层将变厚变长。 当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 5.4.2 工作原理 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。 N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ 5.4.2 特性曲线 5.4.2 N沟道耗尽型MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应