第七讲磁场中的介质.doc

第七章 磁场中的介质 ? 放置于电场中的介质会极化，描述介质极化的物理量时极化强度，描述介质中电场的物理量用电位移矢量。对于磁介质的描述与电解质十分相似，分别引入磁化、磁化强度、磁场强度等概念，进而得出有介质的磁环路定理。 ? ? 第一节??? 磁场中的介质 1．磁介质的电结构 由现代物质结构理论可知：物质内部原子、分子中的每个电子参与两种运动，一是轨道运动，即电子绕原子核的旋转运动，其运动会形成一个电流，进而会产生一个磁矩，称为轨道磁矩；二是电子的自旋运动，相应地也会产生一个磁矩，称为自旋磁矩。一个分子中所有电子的各种磁矩之总和构成这个分子的固有磁矩m，称为分子磁矩，这个分子固有磁矩可以看成是由一个等效的圆形分子电流i分子产生的。就像电介质分为有极性分子和无极性分子一样，一般的磁介质也可分为两大类：一类是分子中各电子的磁矩不完全抵消而整个分子具有一定的固有磁矩，称为顺磁性物质，如氧、铝等；一类是分子中各电子的磁矩，完全相互抵消而整个分子不具有固有磁矩，称为抗磁性物质，如氢、铜等，但这两类物质都是弱磁性物质。另外还有一类强磁性介质，称作铁磁质，铁、钴、锦及其合金就属于这一类。 ? 2．顺磁质和抗磁质的磁化 在没有外磁场时，对于抗磁质来说，由于其分子磁矩m＝0，因而对外不显示磁性。对于顺磁质来说，虽然每个分子都有磁矩m，但由于分子的无规则热运动和频繁地碰撞，各个分子的磁矩分布杂乱无章，因而总体对外也不显示磁性。 ?对于顺磁质，当介质被引入外场中之后，分子磁矩m和外磁场B0发生相互作用，从而产生一个磁力矩，在这个力矩的作用下，各个分子的磁矩将转向外场方向，如图所示。这样各分子磁矩将沿外场方向产生一个附加的磁场B′，从而使原磁场加强，这个过程就叫磁化。 对于抗磁质，当介质被引入外场中之后，整个分子将产生一个与外磁场方向相反的附加磁矩。设一个电子以角速度为ω半径为r绕原子核作圆周运动，由于外磁场B0的作用，电子将受到洛仑兹力f＝-ev×B。为简单起见，设电子轨道面与外磁场垂直。当ω与B同向时， 洛仑兹力指向中心，角速度增大了Δω，磁矩 m＝ISn＝-er2ω/2 Δm＝－er2Δω， Δm与Δω方向相反。这样原来每个分子整体上无固有磁矩的抗磁性物质，在外磁场B中就被磁化了。 应当指出，上述的抗磁效应在具有固有磁矩的顺性物质中也存在，只是在顺磁物质中，顺磁效应要比抗磁效应强得多，因此主要体现出的是顺磁效应；而抗磁性物质在外场中根本就没有顺磁效应，所以只有抗磁效应了。 由此看来，无论是什么磁介质，当引入于外磁场B中时，都会被磁化，产生磁化电流，进而产生附加的磁化磁场B，这样介质中的磁场 B = B 0 + B,, 对于顺磁质B与B0方向的相同，B＞B,总磁场略增强；对于抗磁质B和B方向相反，B＜B0，总磁场略减弱；对于铁磁质B极大，B＞＞B0，总磁场极强。 ? ? 第二节 有介质的环路定理  一.磁化规律 对于介质磁化的程度和方向，可以用磁化强度矢量M来描述，它是某点处单位体积内因磁化而产生的分子磁矩之和，即 M＝∑Δm／ΔV 在介质中，任取一线元dl，以dl为高，S为底面积作以柱体，若dl与S的夹角为θ，则柱体的体积为Sdlcosθ，这样凡中心在该柱体内的分子环流都被dl所穿过，共有nSdlcosθ个，设每个分子的电流为i，则dl穿过的分子电流 dI,＝niSdlcosθ＝niS·dl＝nPm·dl＝M·d， 对整个环路l积分得 ∮M·dl＝I,,  式中I为l内包围的磁化电流。对于介质表面，可取一个紧靠表面的矩形框，式可得 j ＝ M × n 式中j为面磁化电流密度，n为介质表面的外法线单位矢量。 将之代入环路定理，有  ∮B·dl＝μ0(Ｉ0＋I,)＝μ(Ｉ0＋∮M·dl) 令 H = B/μ0 – M 称作磁场强度，它像电介质中引入D一样，是一个辅助矢量，这样便可得到更为普遍的磁介质中(包括真空介质)的磁环路定理 ∮H·dl ＝ I 它表明：沿任意闭合曲线的磁场强度的线积分环量，等于这个闭合曲线所包围的传导电流的代数和，而与曲线包围的磁化电流和未包围的传导电流无关。它的意义和注意事项与真空的磁环路定理完全相同。 在求介质中的磁感应强度B时，可以绕过很难得知的磁化电流I所产生的磁化磁场B，而直接由传导电流I求出电场强度H，进而再求出B。实验证明，在各向同性介质中(注意以下各式都是在此条件下)，磁化强度M与磁场强度H成正比， M ＝χmH 式中χm叫介质的磁化率，是一个纯数。 B＝(1＋χm)μ0H 令μr＝1＋χm，