第3章 场效应管及其放大电路.ppt

3.4.1 共源极放大电路 电气与电子工程学院 3.4 场效应管放大电路 3.4.2 分压—自偏压式共源极放大电路 3.4.3 共漏极放大电路 3.4.4 三种基本放大电路的性能比较 　共源极放大电路原理电路 VDD + uO ? iD VT ~ + ? ui VGG Rg S D G Rd 与双极型三极管对应关系 b ? G , e ? S , c ? D 　　为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足： 　　图示电路为 N 沟道增强型 MOS 场效应管组成的放大电路。 (UT=UGS(th)：开启电压) 3.4.1 共源极放大电路 VDD + uO ? iD VT ~ + ? ui VGG Rg S D G Rd 　共源极放大电路原理电路 两种方法 近似估算法 图解法 (1) 近似估算法 　　MOS 管栅极电流为零，当 uI = 0 时 UGSQ = VGG 而 iD 与 uGS 之间近似满足 (当 uGS UT) 式中 IDO 为 uGS = 2UT 时的值。 则静态漏极电流为 1. 静态分析 (2) 图解法 用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 2. 动态分析 （1）场效应管微变等效电路 gm 的值约为 0.1 ~20 mS。 rds 通常为几百千欧。 如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。 成为： 根据上式做等效电路如图所示。 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 gmUgs Ugs Uds rds + - + - 场效应管的微变等效电路 s d g Id 微变参数 gm 和 rds 1) 根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 2) 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 　　一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rds 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rds 小得多时，可认为等效电路的 rds 开路。 若RD比rds小得多 , rds 可视为开路 简化的等效电路 gm = UGS(th) 2 IDO IDQ 其中：gm和rds可在场效应管特性曲线上作图求得。 gm也可由 iD= iDO( uGS UGS(th) -1)2 求导得 下页 上页 首页 gmUgs Ugs Uds + - + - s d g ID Uo = - gmUgs Rd Au = Uo Ui = - gm Rd Ro = Rd Ui = UGS 下页 上页 首页 （2）用微变等效电路法分析共源极放大电路 VDD Rg Rd VGG + - uI uO + - gmUgs Ugs Uo Rd + - + - 共源电路的微变等效电路 s d g id Ui + - Rg MOS 管输入电阻高达 109 ?。 电路组成 下页 上页 静态时，栅极电压由VDD经 R1、R2分压后提供， ID流经RS产生一个自偏压， RS也有利于稳定静态工作点， 旁路电容CS必须足够大， 以免影响电压放大倍数。 Rg用于提高放大电路的输入电阻。 首页 3.4.2 分压—自偏压式共源极放大电路 Rg Rd +VDD s d g + - uI uO + - 分压-自偏压式共源放大电路 R1 R2 Rs C1 CS C2 RL 1. 静态分析 1)近似估算法 UG Q = R1 + R2 R1 VDD UGSQ = UGQ - IDQRS IDQ= IDO( UGSQ UGS(th) - 1)2 UDSQ = VDD - IDQ ( Rd + Rs ) UG ID ID + - UDS + - UGS 下页 上页 Rg Rd +VDD s d g + - uI uO + - 分压-自偏压式共源放大电路 R1 R2 Rs C1 CS C2 RL 首页 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 uDS O iD uGS = 4.5V 4V 3.5V 3V 2V uGS O iD 2)图解法 IDQ VGQ UGSQ uGSQ = UGQ - iD Rs UGQ RS VDD RS+RD UDSQ VDD IDQ uDS = VDD - iD ( Rd + Rs ) RG RD +VDD R1 R2 RS VG ID ID + - UDS + - UGS 　　可做出一条直线，另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点。确定 UGSQ， IDQ 。 2. 动态分析 Rd Uo