第二章半导体三极管及其放大电路1.ppt

* 本章小结 BJT是由两个PN结构成的。工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。BJT是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。BJT的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。BJT有三个工作区：饱和区、放大器和截止区。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第2章 半导体三极管 2.1 三极管的结构、符号及分类 2.1.1 三极管的结构与符号 2.1.2 三极管的分类 2.1.3 三极管的外部结构 2.2 三极管的电流分配与放大作用 2.2.1 载流子的运动及各电极电流的形成 2.2.2 电流放大作用 2.2.3 电流分配关系的测试 第2章 半导体三极管 2.3 三极管的特性曲线 2.3.1 输入特性曲线 2.3.2 输出特性曲线 2.4 三极管的主要参数及温度的影响 2.4.1 主要参数 2.4.2 温度对三极管的特性与参数的影响 2.5 特殊三极管简介 2.5.1 光电三极管 2.5.2 光电耦合器 本章重点 半导体三极管的基本结构 三极管的电流分配与放大作用 三极管实现放大作用的内部及外部条件 三极管的基本特性 本章难点 在放大区三极管具有基极电流控制集电极电流的特性 三极管的开关特性 用万用表判断三极管的类型、管脚及三极管质量的好坏 第2章 半导体三极管 2.1 三极管的结构、符号及分类 2.1.1 三极管的结构与符号 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 NPN型 PNP型 符号: 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 2.1.2 三极管的分类 按结构类型分为NPN型管和PNP型管 按材料分为硅管和锗管 按功率大小分为大功率管、中功率管和小功率管 按工作频率分为高频管和低频管 按其工作状态分为放大管和开关管 2.1.3 三极管的外部结构 常见三极管的外形结构图 * 半导体三极管的型号 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 2.2 三极管的电流分配与放大作用 三极管实现放大作用的内部条件，制作时： 基区做得很薄，且掺杂浓度低 发射区的掺杂浓度高 集电结面积大于发射结面积 外部条件，即发射结正向偏置，集电结反向偏置 * 若在放大工作状态： 发射结正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集电结反偏： 由VBB保证 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE 0 共发射极接法 c区 b区 e区 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 2.2.1 载流子的运动及各电极电流的形成 1．BJT内部的载流子传输过程 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。  另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 动画演示 * 2．电流分配关系 IE =IC+IB 定义： (1)IC与I E之间的关系: 所以: 其值的大小约为0.9～0.99。 三个电极上的电流关系: 联立以下两式： 得： 所以： 得： 令： 2.2.2 电流放大作用 动画演示 在分析估算放大电路参数时取 通常情况下，β=20～200。 综上：有一小IB就可以获得大IC，实现了小基极电流控制大集电极电流，这就是三极