模拟电子第9讲场效应管.pptVIP

场效应管 2.P 沟道耗尽型 N P P g s d g s d 予埋了导电沟道（负离子） 3.耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的N沟道MOS管VGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 iD VGS VP 输出特性曲线 iD vDS 0 vGS=0 vGS0 vGS0 4.3.3各种FET的特性比较及使用注意事项。（见P173－P175） 栅源电压可正可负。 4.4 场效应管放大电路 ? 直流偏置电路 ? 静态工作点 ? FET小信号模型 ? 动态指标分析 ? 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 * 4.1 (5.3) 结型场效应管 4.3 (5.1) 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 *4.2 (5.4) 砷化镓金属-半导体场效应管 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。 　 常用于数字集成电路 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 4.1 结型