一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术.pdfVIP

第 42 卷第 l 期 光子学报 Vo l. 42 )/0.1 2013 年 1 月 ACT A PHOTONICA SINICA January 2013 doi:l0.3788/gzx0013 一种印刷型薄膜太阳能电池 p-n 结调制技术 未子诚，王伟，蒋辰，周芳芳 (上海理工大学光电信息与计算机工程学院教育部光学仪器与系统工程研究中心， 上海市现代光学系统重点实验室，上海 200093) 摘 要:能带值为 0.5~0.85 eV 材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战，本文使用非 真空的机械化学法合成了能带值为 0.83 eV 的 CuZSnS3 化合物，使用印刷技术将其制备成吸收层 薄膜，并采用 superstrate 太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3 /In2S3 /Ti0 /FTO glass) 对其光伏特性进 2 行了研究.实验表明所制备的太阳能电池短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率分别为 2 12.38 mA/cm 320 mV、 0.28 和1. 10%. 此外.为更好地满足多结太阳能电池对电流匹配的需求， 、 本文对所制备太阳能电池的 CU2 SnS3 /In2 S3 p-n 结进行了分析.通过在 p-n 结界面植入一层薄的疏 松缓冲层，使调制后的太阳能电池短路电流密度从最初的 12.38 mA/cm 增加到了 23. 15 mA/ 2 cm ~相应太阳能电池转换效率从1. 1%增加到了1. 92%. 该 p-n 调和l 技术对印刷型薄膜太阳能电 池具有重要借鉴意义. 关键词 :Cu SnS3 薄膜太阳能电池;非真空印刷法;In2 S ,/Cuz SnS3 p-n 结调制技术 Z 中图分类号:0649 文献标识码:A 文章编号:1004-4213(2013)01-0013-6 A p-n J unction Modulation Technique for Printed Thin Film Solar Cell ZHU Zi-cheng , WANG Wei , JIANG Chen , ZHOU Fang-fang ( Engineerin且 Reseurch Center of ορticul Instrument μ nd System (Mini.、 try οf Educαtl οη) ， Shanghai Key Labof Mοdern 0户tuαl Syste/刀 ， Schοol οfOρtz 口 Electriωfωld Comρuter Engineering , University o} Shanghui }οr Science ωld Technοlogy ， Shun且 hui 200093. Chinu) Abstract: The scarcity of materials with band gap value of O. 5 ~ O. 85 e V is one of the major challenges for the multi-junction solar cells. In t