半导体物理第3章研究报告.ppt

第3章 半导体中载流子的统计分布 本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律。 热平衡状态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 电子从价带跃迁到导带（本征激发），形成导电电子和价带空穴。 与此同时，还存在着相反的过程，即电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少，这一过程称为载流子的复合。 半导体中的导电电子浓度（n0）和空穴浓度（p0）都保持一个稳定的数值 这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 当温度改变时，破坏了原来的平衡状态，又重新建立起新的平衡状态，热平衡载流子的浓度也将发生变化，达到另一稳定数值。 半导体的导电性强烈地随温度而变化，为什么？ 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 状态密度 电子在允许的量子态中如何分布 费米分布函数 3.1状态密度 状态密度 态密度的概念 能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态数。 能带中能量为 无限小的能量间隔内有 个量子态，则状态密度 为 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算能量间隔所对应的k空间体积； 计算能量间隔内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空