第2章 氧化.pptVIP

第二章 氧化 本章主要内容 SiO2的结构和性质 SiO2的性质和作用 SiO2的性质和作用 SiO2的结构 结晶型SiO2的结构 结晶形SiO2是由Si-O四面体在空间规则排列所构成。每个顶角上的氧原子都与相邻的两个Si-O四面体中心的硅形成共价键，氧原子的化合价也被满足。 无定形SiO2的结构 桥键氧：与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧； 非桥键氧：只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧。 非桥键氧越多，无定型的程度越大， 无序程度越大，密度越小，折射率越小……… 无定形Si02的强度是桥键氧数目与非 桥键氧数目之比的函数； 结晶态和无定形态区分是非桥键氧是 否存在。 SiO2中硅、氧的扩散 硅要运动，打破四个0—Si 键 氧要运动，打破两个0—Si 键，对非桥键氧，只需打破一个0—Si 键 故氧的运动同硅相比更容易，氧的扩散系数比硅的大几个数量级 氧化时，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si- SiO2界面，与硅反应，而非硅向外表面运动，在表面与氧化剂反应生成SiO2。 SiO2的主要性质 密度：表征致密程度。 结晶形：2.65g/cm3 非结晶形：2.15~2.25g/cm3 折射率：表征光学性质。 密度较大的SiO2具有较大的折射率。 电阻率： 与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω· cm（绝缘体 108 Ω· cm）。 SiO2的主要性质 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压。 大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关，一般为106~107V/cm。 介电常数:表征电容性能的一个重要参数 SiO2的相对介电常数为3.9。 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应。 SiO2的掩蔽作用 杂质在SiO2中的存在形式 1.网络形成者 可以替代SiO2网络中硅的杂质，也就是能代替Si-O四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质，称为网络形成者。 三价网络形成者(如B)增加非桥键氧数目，降低强度 五价网络形成者(如P)减少非桥键氧数目，增加强度 杂质在SiO2中的存在形式 2.网络改变者 存在于SiO2网络间隙中的杂质称为网络改变者。 Na、K、Pb、Ba 以氧化物形式进入SiO2后离化，增加 非桥键氧浓度，降低强度，熔点降低 易运动，破坏电路的稳定性和可靠性。 水汽的行为类似于网络改变者 杂质在SiO2中的扩散 2.杂质在SiO2中的扩散系数 B、P、As等常用杂质的扩散系数小， SiO2对这类杂质可以起掩蔽作用； Ga、某些碱金属如Na的扩散系数大， SiO2对这类杂质就起不到掩蔽作用。 掩蔽层厚度的确定 1.有效掩蔽条件 杂质的扩散系数满足 SiO2有一定的厚度 2.影响掩蔽效果的因素 以上两条 衬底和SiO2中的杂质浓度 杂质在衬底与SiO2界面的分凝系数 二氧化硅的质量 掩蔽层厚度的确定 3.掩蔽层厚度的确定 杂质在SiO2中的运动符合扩散分布规律： 对恒定源(余误差） 扩散浓度C(x)与扩散深度x的关系式: Cs为杂质在SiO2表面的浓度 对有限源（高斯分布） Q是扩散杂质的总量 SiO2掩蔽P的扩散过程 SiO2的制备方法 热分解淀积法,溅射法,真空蒸发法,阳极氧化法,化学气相沉积法,热氧化法… 热氧化法的种类 干氧氧化 水汽氧化 湿氧氧化 干氧氧化 1.反应式 氧化剂：干燥氧气 反应温度：900~1200℃ 水汽氧化 1.反应条件 氧化剂：高纯水 反应温度：高温 反应式 湿氧氧化 1.反应条件 氧化剂：高纯水+氧气 反应温度： 95℃左右 反应式 热氧化法 1.三种氧化法比较 干氧氧化：结构致密但氧化速率极低。 湿氧氧化：氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜； 水汽氧化：结构粗糙---不可取。 2.实际生产选用的方法 干氧氧化 + 湿氧氧化 + 干氧氧化 5 分钟 + （视厚度而定）+ 5 分钟 常规三步热氧化模式既保证了SiO2表面和界面的质量，又解决了生长速率问题 Deal-Grove热氧化模型 热氧化步骤 氧化剂以扩散形式穿过附面层运动到气体-SiO2界面(流密度F1) 氧化剂穿过SiO2层,到达SiO2-Si界面(流密度F2) 氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO2(流密度F3) 反应的副产物离开界面 热氧化示意图 热氧化生长动力学 热氧化生长动力学 热氧化生长动力学 热氧化生长动力学 热氧化生长速率 SiO2不断生长，界面处的Si也就不断转化为SiO