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第三章 氧化 SiO2的特性 例题 热氧化的生长速率 两种极限情况再讨论 杂质在界面的再分布影响氧化作用。重掺磷的硅可以观察到氧化速率增大现象。当掺磷的硅被氧化时，在分凝过程中，只有少量的磷被分凝到SiO2中，因而抛物型速率常数只表现出适度的增加，这是因为分凝进入SiO2中的磷量很少，氧化剂在SiO2中的扩散能力增加不大。大部分磷因分凝而集中在靠近硅表面的硅中，结果使线性氧化速率常数明显大。 如果掺杂元素分凝进氧化硅中并且保留在那里(这是在氧化气氛中掺硼的情况)，则在氧化硅中的价键是薄弱的，这种薄弱结构使氧化剂容易结合进氧化层，并使氧化剂穿过氧化层的扩散率增加，因此增加了氧化速率。分凝进氧化硅但又快速穿过氧化硅的杂质(例如铝、镓和铟)存在与轻掺杂同样的氧化机理。从上述讨论可以看到，在扩散控制占优势的地方，氧化动力学增强是必然的。 第三章 氧化 D-G模型的修正方程 对于修正的解释 薄氧化层的生长技术 热氧化过程中的杂质再分布 杂质再分布 杂质再分布 杂质再分布 §2.5.2 杂质再分布对Si表面浓度的影响 氧化层及氧化界面的特性 掩蔽厚度的确定 Si-SiO2的界面特性 可动离子电荷Qm 界面陷阱电荷Qit 固定氧化层电荷Qf 氧化层陷阱电荷Qm 氧化技术和氧化系统 干氧、湿氧、HCl干氧氧化 作业 1