接触与离子互连(可编辑).pptVIP

金属化：金属及金属性材料在IC中的应用。金属化材料分类：（按功能划分） MOSFET栅电极材料-MOSFET器件的组成部分； 互连材料—将各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模块。 接触材料—之间与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的接触点。 互连材料—Interconnection 互连在金属化工艺中占有主要地位 AL-Cu合金最为常用 W塞（80s和90s） Ti：焊接层 TiN：阻挡、黏附层 未来互连金属- - Cu COMS标注金属化 互连：Al—Cu合金 接触孔与通孔：金属W（Ti/TiN/W） Ti/TiN：焊接层、阻挡层、防反射层 电极材料：金属硅化物，如TiSi2 集成电路对金属化的基本要求 形成低阻欧姆接触； 提供低阻互连线； 抗电迁移； 良好的附着性； 耐腐蚀； 易于淀积和刻蚀； 易键合； 层与层之间绝缘要好。 9.2 金属化材料及应用 常用金属材料：Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 常用的金属性材料： 掺杂的poly-Si； 金属硅化物--PtSi、CoSi2、WSi2、TiSi2； 金属合金--AlSi、AuCu、CuPt、TiB2、SiGe、ZrB2、TiC、MoC、TiN。 9.2 金属化材料及应用 多晶硅 栅和局部互连； 70s中期后代替Al作为栅极， 高温稳定性；满足注入后退火的要求，Al不能自对准 重掺杂，LPCVD淀积 硅化物 电阻