模拟集成电路CMOS技术.pdf

LOGO CMOSCMOS模拟集成电路设计模拟集成电路设计 黑龙江大学 电子工程学院集成电路设计与集成系统 李志远 2015 目录 1 CMOS技术简介 2 基本MOS半导体制造工艺(重点) 33 pn结 44 MOS晶体管 35 无源器件 46 集成电路版图 7 CMOS技术的其他考虑 CMOS技术简介 集成电路技术？ 集成电路：采用半导体或薄膜、厚膜工艺，把电路元器件以相互不可 分离的状态制作在一块 （或几 ）半导体 （或绝缘材料）基片上，然 后封装在一个壳体内，构成一个完整的具有一定功能的电子电路。 授课目的： (1)掌握基本工艺流程 (2)掌握流程中每块光刻掩膜版对器件结构形成的作用 (3)深刻领会集成电路中的各个器件是在同时制作 CMOS技术简介 CMOS工艺是将NMOS器件和PMOS器件同时 制作在同一硅衬底上的工艺， 已成为当前超大 规模集成电路 VLSI ）中的主流技术，通常有 P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺和双阱CMOS 工艺。不同厂家、不同工艺线构成很多不同的 CMOS工艺序列 。 CMOS技术简介 IC工艺技术对模拟IC设计的影响  器件的精度影响信号处理的精度  动态范围依赖于电路的线性度和噪声  器件大小受芯片面积限制器件大小受芯片面积限制  IC工艺技术引进阻性、容性和感性寄生 效应，导致设计结果与预期效果偏离  模拟电路的性能也受到同一衬底其他 路的影响。 CMOS技术简介 Si工艺的分类 CMOS技术简介 为什么选用CMOS工艺？ CMOS技术简介 现代CMOS工艺 0.13um CMOS工艺 Deep n-well可以减小衬底噪声耦合 MOS变容二极管可以应用与VCOs 至少6层金属可以形成很多更有用的结 ，如电感、电容、传输线等 2.1 基本MOS半导体制造工艺 基本步骤  氧化  扩散  离子注入  沉积沉积  刻蚀  浅沟隔离  外延生 光刻：通过光刻依据上述步骤实现对硅晶 体的部分区域进行加工。 2.1 基本MOS半导体制造工艺 氧化 （第一步）：在硅晶圆的表面形成SiO 的工艺。 2 氧化物在硅表面生长的同时也深入到硅的内部。 作用：形成绝缘层，保护材料 薄氧化物 （100Ǻ~1000Ǻ ）通常用干氧化技术，厚氧化物 （1000Ǻ)用湿氧 化技术 2.1 基本MOS半导体制造工艺 扩散：一种杂质原子由材料表面向材料内部运动的过程。