先进互连测试技术面临变革.pdfVIP

维普资讯 工艺与制造 Pocessing＆Manufacturing 先进互连测试技术 面临变革 有一些新材料将被用于量产一例如超 固 薄氮化钛以及其他新的薄膜材料一但 虽然诸如0CD和散射测量技术等 是它们中大部分已经被研究许多年了。 传统技术成功地应用于栅刻蚀和互 如布技展如趋术的同前势国以景前际TI(半那R的预样S导)对体测，最技于是喜新测术忧量发公 但是找出问题的病因并不意味着 连，CD．SEM仍旧在晶圆厂发挥作 参半。坏消息是，由于业界放松了对 就能够提出合适的解决方案，而且按 用，但是随着超低K等新材料的引 光刻工艺的苛刻需求，转而依靠刻蚀 照Gostein的讲法，测试技术领域更 入对新的量测技术和DFT的发展 工艺缩小线宽尺寸，因此设备供应商 加容易被忽视。这其中一个原因就是 提出了要求。 们必须满足刻蚀后对孤立线条线宽苛 工程师在处理问题时有着太多的变 刻的测量要求；而好消息是，至少在 数。应该测量什么?这是一个普遍关 了；然而 内存产品仍然使用传统的铝 45纳米甚至可能是在 32纳米技术节 心的问题 ，铜膜厚需要被监控吗?如 工艺，但它也会最终采用大马士革互 点上 ，现有的二次电子线宽测量技术 果答案是肯定的，那应该在哪一步进 连技术。而且对于逻辑器件而言，为 和散射测量技术仍然能够发挥作用。 行测量?换一个 问题，台阶高度和表 了提高速度绝缘介质材料也会由原先 当越过32纳米技术节点后，对于 面平坦度需要测量吗?此外，工程师 的熔融硅玻璃改为低 K介 电常数材 先驱者而言原有的技术将不再适用， 可以依靠测量 电镀槽中添加剂的浓度 料，甚至多孔超低 K介电常数材料。 一 切都将是陌生未知的领域。材料就 变化或化学机械抛光终点时间来监控 站在收缩图形的角度，Mitra指出 是其中的关键 问题 ，“毫无疑问它将 工艺的漂移吗?明显所有这些测试结 主要的挑战在于对线宽、图形深度和 成为妨碍技术发展的拦路虎!”。使 果都是与产品的合格率息息相关的， 图形形貌等方面的要求越来越紧。“图 用哪种材料实现如此先进的技术还没 因此工程师们可以采取不同的方式控 形均匀性涵盖了芯片内部、硅片内部 有最终的答案，但每当研究一种新材 制并提高产品的合格率。一些工程师 以及硅片与硅片之间的各个方面，”他 料，测量技术就必须进行相应的调整 因为速度和费用等因素选择 了诸如先 说：“随着光刻技术越来越昂贵，为了 和优化。 进工艺控制 (APC)的测量反馈系统； 节约成本、提高工艺控制，对于图形 而另一些人则选择其它的解决方案。 线宽和深度的测量也更加重要。”图形 众所周知的挑战 收缩会减弱信号，孔工艺尤为明显。如 PhilipsAMS(Natick，Mass．)公司 材料问题 果孔的尺寸变的太小，由于信嘈比的 技术经理MichaelGostein介绍说，测 AppliedMaterials刻蚀产品事业 降低，测量就会变的困难重重。现在， 量铜、低介电常数薄膜材料是众所周 部副总裁、首席技术执行官Uday 主要采用提高测量敏感度以及其它的 知的难题。 “一开始铜工艺崭露头角， Mitra指出互连工艺的两个焦点：采 技术解决问题，但是对于测试导向型 关于生产以及工艺如何影响测量结果 用新材料和收缩图形。站在使用新材 设计(DFT)而言