@E基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试-福州大学学报.PDF

第 卷 第 期 福州大学学报 自然科学版 年 月 文章编号 基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试 蔡志猛 陈荔群 李 成 厦门华厦学院信息与机电工程系 福建 厦门 集美大学诚毅学院 福建 厦门 厦门大学物理系光子学研究中心 福建 厦门 摘要 在超高真空化学气相沉积设备上 利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层 在衬底上成功外延出高质 量的锗薄膜基于谐振腔增强型探测器理论 模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸传输矩阵方 法计算结果显示 将衬底自有二氧化硅 硅层作为一对下反射层的情况下 取 对 作为上反射 层时 量子效率可以达到接近制作的基锗光电探测器 暗电流密度为 在 的偏 压下 探测器在 处响应度 可以观察到探测器的共振现象 关键词 锗 共振腔增强型 光电探测器 中图分类号 文献标识码 引言 光电探测器是硅基光子学领域中重要的研究课题之一 硅基锗材料与硅工艺互相兼容 容易实现 硅基光电集成 一些关键器件诸如调制器 激光器 和光电探测器 等都已经取得了较大进展 硅基 外延薄膜锗材料成为硅集成光电探测器的绝佳选择然而 由于的吸收系数在波长 以上急剧 减小只有 要想得到较高的量子效率 需要加大吸收区的厚度 这样会降低器件的带宽 解决该问题的方法之一是采用谐振器腔增强型结构制备探测器 该类型器件的有源层上下均有 多对反射层以此构成共振腔 达到共振条件的入射光在共振腔内来回反射 使得光程增加 吸收增强 达 到提高探测器的光响应度的效果这种器件构造在提高器件的量子效率带宽积的同时 又兼有波长选择 性 对于吸收系数小的材料制作探测器特别合适 收稿日期 通讯作者 蔡志猛 讲师 主要从事硅基光电子研究 基金项目 国家自然科学基金资助项目 福建省中青年教师教育科研基金资助项目 第 期