Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 2 (2014) 023101 Heusler型 RuPb ( Lu, Y)合金的反带结构 和拓扑绝缘性 王啸天 代学芳 贾红英 王立英 刘然 李勇 刘笑闯 张小明 王文洪 吴光恒 刘国栋 1)(河北工业大学, 材料科学与工程学院, 天津 300130) 2)(中国科学院物理研究所, 磁学国家重点实验室, 北京 100190) ( 2013 年7 月26 日收到; 2013 年10 月22 日收到修改稿) 采用第一性原理的计算方法, 在不同条件下对Heusler 型 RuPb ( Lu,Y) 体系的电子结构展开研 究. 计算结果表明, 这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下, 能够具有真正的拓扑绝缘体特性. 杂化作用和自 旋-轨道耦合作用都对材料产生“反带” 结构发挥作用. 但是针对不同成分所构成的材料, 它们各自所起作用 的程度有所不同, 二者可以相辅相成. 利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行” 反带” 结构 调控进而获得理想的拓扑绝缘体, 这对于材料的实际制备具有重要意义. 关键词: 拓扑绝缘体, 自旋-轨道耦合作用, Heusler 合金, 第一性原理计算 PACS: 31.15.Ar, 70.20.Be DOI: 10.7498/aps.63.023101 15 意义上的拓扑绝缘体. Xiao 等 对半Heusler 合 1 引 言 金LaPtBi 沿[001]方向施加5% 的单轴应变, 能够 打破体材料的这种零能隙特性. 但是他们并没有做 不同于传统意义上的金属和绝缘体, 拓扑绝缘 详尽的研究. 随后Zhang 等19 专门针对Heusler 合 体是近几年才发现的一种量子态新材料, 其体电子 金中打破 对称性获得真正拓扑绝缘体进行了研 态是有能隙的绝缘体, 而表面则是无能隙的金属 究讨论, 他们指出单轴应变是获得真正拓扑绝缘体 态. 拓扑绝缘体的表面金属态由体电子态的拓扑结 的一个有效方法. 但是, 这主要是针对在平衡晶格 构对称性决定, 其表面会产生由时间反演对称性保 护的无能隙表面电子态14 . 由于拓扑绝缘体材料 参数下已具有“反带” 结构的Heusler 合金而言的. 的独特性质, 使其在低能耗电子器件和容错量子计 文献[17] 也简单地提及了如何诱使直接带隙的普 算等领域具有潜在的重要应用价值, 它有可能对未 通半导体出现“反带” 结构. 这些研究都主要集中 来的信息技术产生革命性影响. 于如何获得真正拓扑绝缘体, 而关于诱导能带翻转 人们在多种体系中都发现了拓扑绝缘体324 , 的原因没有进行深入系统的分析. 2010 年,