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水殴 维普资讯 予州．吨均， 挺、吨汛 — 第l3卷第6期 半 导 体 学 报 Vd．1，．Na．6 1992年 6月 CHINESEJOURNALOFsE砌c0NDUc1 Jqne。 l99j )； 一 一 GaAs／GaAIAs量子阱在电场作用下 光电流谱的研究 世 — 耀辉 段海尤 吴荣汉 (中国科学院半导体研究所，北京，~ooo83) 1991年j月11日收到，同年5月29日癌改定稿 7J~．／／ ／ 我们用宦温和低显下电场下 的光电涟谱研究了 GaA。／A1GaAs多量子 阱 p-i-n 二极 臂 的量子限制斯塔克效应．侧面光照下{别量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏搌嬗 应．对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现 ，外加电场不仅影响光嗳收 ，也影响多量 产 阱中光生载流于的漂移过程．光电流谱的线形用 P ／ 结的耗尽模型进行了分折，井计^了 ^射 光强度在光传播过程中由于产生旺收敝迂而发生的衰减．把电梳港峰与激发光谱峰的斯 塔克位移提供了多量子阱中电场分布的譬息，并 旺明了耗尽区模型的正确性． PACe：7865，7240，7340L 一 、 引 言 近年来，在实验上和理论上对量子阱在 电场下的性质连行了广泛的研究。量子阱中 的电子态具有二维特性，在 电场怍用下其行为与体材料有很大 的不 同． 电场所产生的效 应与量子阱材料的结构有关，当外加 电场的方 向和强度不同时，产生的效应也会有很大的 差别．在典型的多量子阱结构中(即各量子阱之间的耦合很小的情况)，势垒层对电子波 函数具有很强的空间限制效应，当外加电场与量子阱二维平面垂直时，电场的作用主要表 现为量子受眼斯塔克效应，带间跃迁柏能量随 电场增大而发生红移 ． 1988年 ，E E Mendez等 报道在短周期超 晶格结构 (其 电子态通过阱间耦合形成微带)中观察到 电亍 态在电场作用下 出现 Wannier局域化，微带分裂成一系列斯塔克梯能级， 使带间光跃 迁出现许多能量间距相等的蜂值．随着 电场的增大，徽带收缩可能导致带问光跃迁发生 蓝移 ．这些现象不仅在物理上具有重要意义，而且对制作新型光 电器件也提供 了重要盼 启示． 目前利用量子阱结构材料 已研制出光 电调制器 ，光 电开关等新器件．例如 自电光 效应器件就是一种很有前途的光 电混合型的光学双稳元件，适合于在低 电压，低光强条件 下工怍。 ．事实上，多量子阱材料在电场下的光吸收谱和光 电流谱是决定器件睦能和负 阻效应的物理基础．以多量子阱结构为 i区形成的 p-i-r,光皇二极蜜中，光电流谱主要 取决于多量子阱的结构参量、二极管 中的电场分布及光生载流子 的产生和输运特性等 ．外 北京赶晶格国家重点宴验室支 持谭艟． 维普资讯 半 导 体 学 报 延层 的本底掺杂和界面质量等因素也可能产生重要影啊，因而改变二极管的工作性能 ．总 的来说 对量子受限 stark效应，以及对不同结构的多量子阱材料所形成的 p-i—n二极 管的光 电流谱进行研究，是在理论上和应用上受到重视 的一个课题． 我们研究了以 GaAs／AlAs和 GaAs／Ga~As多量子 阱结构为 i区的p-i—n二极管 在室温和低温下的光 电流谱，所加偏压方 向与结面垂直．光电流谱测量技术是研究多量 子 阱在 电场下光吸收的一种实用方法．光 电流谱能灵敏地反映在加不 同负偏压时各种带 闻光跃迁发生变化的细节 ；从样品侧面进行光照激发还能提供有关偏振效应的信息．我 们通过光 电流谱测量指认分析了量子阱结构中出现的子带间跃迁，研究了它