纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻.pdfVIP

维普资讯 l。’卜l。7b { 第32卷 第 lo 期 金 属 学 报 ， 【996年 o【 月 ACTA M ETALLURGICA SINICA 【 纳米材料 的晶格畸变与反常过剩 电阻 1]中国科学院金属研究所 o惕 ． St阳 】10015 V … 2)中国科学院国际材料物理中 ．沈阳 I10015 f摘要利用Landauer理论研究了纳米材料晶体部分的品格畸变对材料电阻牢的贡献推导 ‘ 出L dauer电阻率与晶格嘭胀率的美系 数值计算表 明 纳米金属材料的电阻率随晶格 胀率 的增 加而非线性升高 关键词 爿∈，苎!竺·“ 铀耕 珥 赢嘲 电阻 纳米材料一般是指晶粒尺度在 5Onm 以下的多晶材料．这种材料具有一系列反常的物理 性能 ” 高电阻率就是其中之一，许多纳米材料的电阻率不仅远高于相应的粗 晶粒多晶， 而且高于相应非晶态材料的电阻率 这使得用经典的散射理论难 以究其原因，因为非晶 态是完全无序态，应该具有最大的散射几率，从而应该具有最大的电阻率．本文将从分析现 有理论人手，研究小尺度纳米晶材料中晶体部分对 电阻率的贡献 1 理 论 分 析 纳米材料可 以看成 由纳米晶体和晶界两个部分组成，对其电阻的计算应该采用 自由电子 渗流理论．每一条通路上的电阻等于 晶体 电阻、晶界 电阻及界面电阻之和． 实验指出 ，纳米材料的晶界结构与相应粗晶粒多晶材料的晶界结构没有区别，而且 晶界厚度也相 同 (一般小于 1rim，大约 3—_5个原子层)．对于均匀致密的纳米材料，如果 假定晶界电阻大于晶体 电阻，则渗流效应可 以忽略 因为晶界部分是单连通的，而晶体部分 是不连通的 这样就可 以用一维模型来讨论其 电阻率． 考虑一维纳米材料，晶粒度为 晶界厚度为 ，则体系的平均 电阻率 p为 p再1 1’再1f?npL … 其中p。为晶体部分的电阻率，p．为一个晶界 内晶界部分和界面部分对 电阻率的总贡献．考虑 到 do一般小于 lnm，而 d在 10rim 以上．由 靠 《d近似得 p p。+ p d。／d (2) ， 国家 自然科学基金 资助重点项 目 收稿 日期： l995-12 8 本文通讯联系人：秦荣山．博士后 ．沈阳(1】00】5)中国科学院金属研究所五室 维普资讯 094 金 属 学 报 32卷 在很多文献 中．都没有考虑小尺度下 晶体部分 的电阻率改变，而将其近似为完整 晶体 的电阻 率．故对于确定的金属和台金 fJr为常量 由公式 (2)可知 纳米材料的电阻率随着晶粒度 的减小而增加． 公式 (2)在大尺度范围 内与实验结果定性一致 但是在小尺度范围与实验 曲线明显不 符．在定量计算上．取 =1nm．采用文献 (33得到的各晶粒尺寸对应电阻率的实验值，算 得p的值见表 I．晶界电阻率如此大的涨落只能说